摘要熱沉積式的 ALD 需要較高的制程溫度 (傳統(tǒng)為 150-350°C). 上海伯東代理原子層沉積設(shè)備可以精準(zhǔn)的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 +/- 1％, 廣泛應(yīng)用于 OLED 和硅太陽(yáng)能電池的鈍化層, 微機(jī)電系統(tǒng), 納米電子學(xué), 納米孔...

摘要 上海伯東針對(duì)薄膜封裝推出電漿輔助式化學(xué)氣相沉積, 原子層沉積和聚對(duì)二甲苯沉積等三種設(shè)備, 且使用低溫的沉積技術(shù), 分別在 OLED 上堆疊多層薄膜, 廣泛應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極體, 有機(jī)光伏打電池和材料科學(xué)研究.

摘要 上海伯東代理的金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備加裝美國(guó) KRI 離子源, 可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 為客戶提供品質(zhì)的復(fù)合式薄膜, 且薄膜的厚度和均勻度小于+/- 3％, 廣泛應(yīng)用于納米薄膜, 太陽(yáng)能電池等行業(yè)以及金屬材料的研究等.

摘要 上海伯東代理的連續(xù)式多腔磁控濺鍍?cè)O(shè)備可準(zhǔn)確控制其濺鍍制程條件, 為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的薄膜, 廣泛應(yīng)用于納米研究技術(shù), 材料研究, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究, 太陽(yáng)能電池和觸碰螢?zāi)坏刃袠I(yè).

摘要 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu), 搭配美國(guó) KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽(yáng)能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

摘要 上海伯東代理超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 UHV Sputter 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽(yáng)能電池,科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

摘要上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準(zhǔn)確控制多個(gè)磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國(guó) KRi 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時(shí)間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽(yáng)能電池等...

摘要 上海伯東代理剝離成形電子束設(shè)備可以準(zhǔn)確的控制蒸發(fā)速度, 因此薄膜厚度和均勻度皆小于 ±3％, 客制化的基板尺寸, z大直徑可達(dá) 12寸晶圓, 腔體的極限真空度約為 10-8 Torr.

摘要上海伯東代理 SYSKEY 中國(guó)臺(tái)灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備腔體極限真空度約為 10-10Torr, 針對(duì)超高真空和高溫加熱設(shè)計(jì)基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷循環(huán)來(lái)保護(hù)機(jī)構(gòu)以確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性, 可以提供高質(zhì)量的薄膜, 薄膜均勻度小于...

摘要上海伯東代理 SYSKEY 中國(guó)臺(tái)灣矽碁科技電子束蒸鍍?cè)O(shè)備是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng), 蒸鍍系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個(gè)坩堝來(lái)達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu). 在基板乘載上針對(duì)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì), 單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計(jì)可以控制蒸發(fā)速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +...

摘要 磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)(PhysicalVaporDeposition,PVD)的一種

摘要 手動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)適用于本科生教學(xué)，研究生科研訓(xùn)練，也可以應(yīng)用于科研工作

摘要 磁控濺射

摘要 AFA-II自動(dòng)涂膜機(jī)AFA-II自動(dòng)涂膜機(jī)是為了使試驗(yàn)人員能方便地在不同底材上涂布出的涂膜，減小由于涂布速度及施加壓力不同等人為因素造成的誤差

摘要NMC-4000 MOVPE設(shè)備：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的...

摘要NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原...

摘要NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原...

摘要NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得A...

摘要NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工...

摘要NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源...

摘要NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。若果溶化作用在真空之下進(jìn)行，核素本身會(huì)即時(shí)在靶表面上形成光亮的等離子羽狀物。激光加熱方法特別適用于蒸發(fā)...

摘要NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪...

摘要NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6“ 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec...

摘要NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到2個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉...

摘要NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：臺(tái)式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離...

摘要NSC-3500（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：立式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離...

摘要NSC-4000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：立式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基...

摘要NEE-4000（A）全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門(mén)閥作為預(yù)真空鎖，使得電子束源腔體保持真空的情況下，通過(guò)主腔放入基片到樣平臺(tái)（或夾具）上或從中取出。自動(dòng)裝/卸載基片可通過(guò)第...

摘要NTE-3500（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有低價(jià)格, 高性能以及高能力的特點(diǎn)，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求，該系統(tǒng)可以在設(shè)定的RMS電流下，或...

摘要NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有低價(jià)格, 高性能以及高能力的特點(diǎn)，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求，該系統(tǒng)可以在設(shè)定的RMS電流下，或...

摘要NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有低價(jià)格, 高性能以及高能力的特點(diǎn)，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求，該系統(tǒng)可以在設(shè)定的...

摘要 我們采用以下手段，可以制備各種膜！電子束蒸鍍（E-beamevaporation）：-可以蒸鍍各種金屬、非金屬材料磁控濺射鍍膜（MagnetronSputtering）：-制備各種金屬、非金屬薄膜

摘要 關(guān)鍵詞：金屬薄膜，氮化鋁、壓電薄膜、AlN、Si3N4薄膜、MEMSTiN薄膜，抗腐蝕硬質(zhì)膜，半導(dǎo)體薄膜，氧化物絕緣層型號(hào)：MP450S，產(chǎn)地：歐洲，應(yīng)用：沉積硬質(zhì)膜，半導(dǎo)體膜，氧化物絕緣層等

摘要 關(guān)鍵詞：?jiǎn)螌幽ぁ⒍鄬幽ぁ雽?dǎo)體、光電子學(xué)、光子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)、MEMS、微流體技術(shù)、磁性膜、光學(xué)膜、金屬膜、絕緣膜、半導(dǎo)體膜、共濺射連續(xù)沉積、進(jìn)口磁控濺射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶型號(hào)：MP600S，產(chǎn)地：歐洲，應(yīng)用：制備單層/多層金屬薄膜

摘要 關(guān)鍵詞：鍍膜、金屬膜、Al,Ti,Cr,Ni,Cu,Au,Nb,W,Pd,Pt,Mo可在導(dǎo)體或絕緣體上濺射任何薄膜氣路：Ar氣路配搭MFC陰極：3個(gè)4英寸直流磁控管

摘要 關(guān)鍵詞：?jiǎn)螌幽ぁ⒍鄬幽ぁ⒋判阅ぁ⒐鈱W(xué)膜、金屬膜、絕緣膜、半導(dǎo)體膜連續(xù)沉積、進(jìn)口磁控濺射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶型號(hào)：MP900S產(chǎn)地：歐洲應(yīng)用：?jiǎn)螌幽ぁ⒍鄬幽ぁ⒋判阅づ渲枚鄠€(gè)可更換金屬靶：Ni

摘要關(guān)鍵詞：?jiǎn)螌幽ぁ⒍鄬幽ぁ雽?dǎo)體、光電子學(xué)、光子學(xué)、微機(jī)電系統(tǒng)、MEMS、微流體技術(shù)、磁性膜、光學(xué)膜、金屬膜、絕緣膜、半導(dǎo)體膜、共濺射連續(xù)沉積、進(jìn)口磁控濺射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶型號(hào)：MP500S，產(chǎn)地：歐洲，應(yīng)用：沉積AlN、Si3N4，TiN...

摘要 蒸發(fā)鍍膜儀

摘要 AFA-II自動(dòng)涂膜機(jī)AFA-II自動(dòng)涂膜機(jī)是為了使試驗(yàn)人員能方便地在不同底材上涂布出精確的涂膜，減小或消除由于涂布速度及施加壓力不同等人為因素造成的誤差

摘要 一、概述：AFA系列自動(dòng)涂膜機(jī)采用電動(dòng)推桿實(shí)現(xiàn)濕膜制備器或線棒的涂布運(yùn)動(dòng)，有效避免手工涂布的不穩(wěn)定性

摘要 Sheen線棒涂膜機(jī)由不銹鋼制成，可以用于涂料、油墨、粘合劑等的涂膜制備。

摘要 VTC-300USS超聲霧化旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)可以精確控制溶液化學(xué)計(jì)量比、霧粒噴出速度、霧粒大小等參數(shù)

摘要 技術(shù)參數(shù)：AFA-II自動(dòng)涂膜機(jī)是為了使試驗(yàn)人員能方便地在不同底材上涂布出精確的涂膜，減小或消除由于涂布速度及施加壓力不同等人為因素造成的誤差

摘要全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍碳儀蒸碳儀噴碳儀鍍膜儀 優(yōu)勢(shì)看得見(jiàn)：1. 7英寸彩色觸摸屏，全數(shù)字顯示，直觀清晰；2. 具備脈沖加熱和連續(xù)加熱兩種工作模式，適用各種不同的樣品；3. 自動(dòng)檢測(cè)每根碳繩的狀態(tài)，并在鍍膜過(guò)程中自動(dòng)切換；4. 每根碳繩使用前會(huì)進(jìn)行自動(dòng)除氣，確保碳膜的純...

摘要LBT自動(dòng)涂膜機(jī)參數(shù)：△總功率：350W 電源： 220V 50Hz。△真空吸盤(pán)涂布尺寸：300 mm × 200 mm。△涂布長(zhǎng)度：300 mm。△涂布速度：0 ～ 10 cm/s 無(wú)級(jí)變速。△外形尺寸：705×505×270 mm （長(zhǎng)×寬×高）。△重 量：約65...