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通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的工具之一是數字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高...

通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的工具之一是半導體參數測試儀之數字源表（SMU）。普賽...

半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還...

普賽斯半導體參數分析儀支持高電壓+大電流集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下納安級測...

半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產品,半導體分立器...

直流3A半導體參數分析儀就找普賽斯儀表，S系列源表是普賽斯歷時多年打造的高精度、大動態范圍、數字觸摸的帥先國產化的源表，集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z...

半導體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表，普賽斯數字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高...

半導體器件特性曲線掃描儀認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導體電性能測試領域，基于高精度數字源表綜合實驗平臺，可提供多種實驗測量環境，搭配豐富的測試...

半導體分立器件測試儀+IV曲線掃描認準武漢普賽斯儀表，普賽斯是國內生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產品已經過了市場的考驗、市面有近5...

IGBT靜態參數主要包含:柵極-發射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發射極漏電流lGEs、集電極-發射極截止電流lcEs、集電極-發射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參...

SiC|GaN第三代半導體靜態參數測試系統采用普賽斯自主開發的測試主機，內置多種規格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設...

功率器件靜態參數測試系統3500V/4000A集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流...

大功率IGBT靜態參數測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。

功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可...

半導體材料IV掃描儀器儀表支持四象限工作，源和負載，電壓及電流范圍廣，電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V，準確度為0.1%；

IGBT模組動態參數測試儀器具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出...

IGBT器件靜態參數測試儀器具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出...

微納器件電性能測試用數字源表認準普賽斯儀表，國產自主研發，*！性價比高，測試范圍更廣，輸出電壓高達300V，支持USB存儲，一鍵導出報告，符合大環境下國內技術自...

整流橋堆高電流脈沖電源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。設備可應用于肖特基二極管、...