IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線(xiàn)是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)3500V/4000A特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
 
單臺(tái)Z大3500V輸出；
 
單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測(cè)量；
 
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

技術(shù)指標(biāo)

可測(cè)項(xiàng)目
 
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces
 
集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
 
柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
柵極電阻Rg
 
電容測(cè)量
 
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等
 
功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)3500V/4000A認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表，普賽斯功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶(hù)添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。