等離子體增強化學氣相沉積系統是采用PECVD技術專業為介質膜鍍膜設計的化學氣相沉積設備。
等離子體增強化學氣相沉積系統通過優化供氣系統，改進了較小的反應堆體積，可顯著提高工藝的均勻性和再現性，并減少泵送時間。
由于可以方便地訪問所有內部組件，因此等離子體增強化學氣相沉積系統的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設計，為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學氣相沉積系統等離子體產生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上，在這里可以施加高達600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置電壓。在ICP模式下，在加熱臺上使用低頻電勢，確保了在沉積過程中調節介質膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學氣相沉積系統規格參數
工藝過程反應器中的極限壓力: <5×10-6Torr
一次性處理晶圓數量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
ICP發生器功率：1200W @13.56MHz
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉移到反應器中。
等離子體增強化學氣相沉積系統通過優化供氣系統，改進了較小的反應堆體積，可顯著提高工藝的均勻性和再現性，并減少泵送時間。
由于可以方便地訪問所有內部組件，因此等離子體增強化學氣相沉積系統的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設計，為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學氣相沉積系統等離子體產生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上，在這里可以施加高達600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置電壓。在ICP模式下，在加熱臺上使用低頻電勢，確保了在沉積過程中調節介質膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學氣相沉積系統規格參數
工藝過程反應器中的極限壓力: <5×10-6Torr
一次性處理晶圓數量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
ICP發生器功率：1200W @13.56MHz
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉移到反應器中。
