激光分子束外延系統Laser MBE是新型激光薄膜制備技術設備,它集成了普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位監測的優點和脈沖激光沉積（PLD）的易于控制化學組分的優點。
激光分子束外延系統特點
增長的激光MBE解決方案：從PLD室和負載鎖開始，稍后添加更多模塊！
UHV PLD沉積室，通過負載鎖定對襯底和目標進行UHV傳輸
模塊化概念：輕松升級到傳輸模塊和附加模塊
*的工藝自動化，也適用于超晶格沉積
具有*溫度測量功能的耐氧基板加熱器，1000°C
激光加熱基材可選
靈活的*目標操縱器，具有交叉污染屏蔽和目標轉盤傳送
為系統升級準備的真空室（RHEED、等離子源、OES/FTIR等）
表面通量控制選項，99%可重復結果
全封閉梁線，操作方便、安全
交鑰匙交付
通過互聯網提供高級在線支持


PLD/激光MBE室
表面PLD/激光MBE室專為研究而設計，提供*激光MBE所需的所有功能：
襯底和PLD靶的超高壓傳輸
冷壁設計可防止在沉積時間內從室壁放氣
用于原位分析的窗口和端口：RHEED、OES或FTIR、質譜
用于附加沉積或等離子源的端口
*的表面襯底加熱器或激光加熱器
目標操縱器保持一個轉盤，轉盤上最多有五個直徑為1”的PLD目標
此外，用于向腔室中供應工藝氣體的兩個質量流量控制器通道是標準的。它們能夠自動控制工藝氣氛和壓力。

通過結合控制軟件設計目標操縱器，避免了目標表面上的錐體形成，并保證了目標的均勻磨損。激光束將以兩個不同的入射角照射目標的每個點，因此無法形成影響燒蝕材料化學計量的錐體。
為了實現均勻的目標磨損，沉積過程中有兩種不同的目標運動模式：
搖擺：目標轉盤以連續運動的方式來回移動，以便激光束在距離目標中心任意半徑處擊中目標。該模式易于設置，只需知道目標直徑。
掃描：移動目標轉盤，使激光束在目標上“寫入”定義的軌跡。調整目標旋轉速度和軌道間距以匹配激光光斑大小和重復率。這實現了目標表面的非常均勻的磨損。

該系統可配備表面基板操縱器/加熱器，基板溫度為1000°C，基板直徑為1”（可根據要求提供其他尺寸）可選地，激光襯底加熱器可用于選擇性加熱膜和快速加熱/冷卻速率。所有基板操縱器都包括一個前擋板，以在無沉積運行時保護樣品。襯底操縱器針對原位RHEED（反射高能電子衍射）進行了優化：它們允許襯底旋轉±120°、傾斜±3°和高度調整，以優化襯底相對于電子束的位置。
SURFACE還提供高壓RHEED系統，可現場監控薄膜生長和質量。
如果需要更多的生長加工量，可以將多個PLD/激光MBE室組合成一個集群模塊，共享一個激光器。然后，帶有自動反射鏡的擴展光束線將激光束引導到所需的腔室。激光服務器計算機基于請求表自動控制激光器和光束線，并且PLD腔室中的沉積過程被延遲，直到激光器可用于特定腔室。