等離子體增強化學氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD
PECVD技術在半導體行業的應用比其他CVD技術更為廣泛。PECVD可以在較低的工作溫度（小于350°C）下沉積均勻的氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，石墨烯薄膜等，CVD技術相比于PVD技術具備更好的階梯覆蓋性和孔隙高填充特性。SYSKEY的系統能精確控制反應壓力和襯底溫度等關鍵工藝參數以制備出高質量的薄膜。平板式等離子體源適用于制備氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，平板電極也可以用ICP線圈替代，產生的高密度等離子體可實現二維材料沉積。
ICP-CVD原理示意圖
二維材料鍍膜目前研究和應用比較火熱。矽碁科技在ICP-CVD的基礎上，針對二維材料開發出適用于石墨烯生長，硫系、硒系二維材料生長設備，可實現高品質二維材料制備。
ICP-CVD石墨烯鍍膜
ICP-CVD硫化/硒化鍍膜
應用領域：
● SiOx、SiNx、α-Si薄膜
● DLC超硬鍍膜
● 有機顯示、有機鈣鈦礦太陽能電池領域薄膜封裝
● CIGS太陽能電池硒化
● 醫療領域相關產品
● 二維材料鍍膜（Graphene, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2等）
應用展示：
配置特點：
● 可加載 12 英寸直徑的晶圓
● 薄膜均勻度優于±5%
● 最多 10 路氣體管路，質量流量精確控制
● 基板可加熱至 700°C，根據工藝制程定制
● 直接電容耦合等離子體（平板式）、遠程電容耦合等離子體（CCP）、電感耦合等離子體（ICP）
● 可配備等離子體自清潔功能
● 可選配單片或多片加載腔
● 可與手套箱集成，也可以與其他CVD設備集成
