普賽斯wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試解決方案
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。
針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。
從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋
從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋
從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋
wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)
1、高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV）
具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）
2、高精度測(cè)量
納安級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
0.1％精度測(cè)量
四線制測(cè)試
3、模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元
系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元
4、測(cè)試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試
5、軟件功能豐富
上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用
支持曲線繪制
自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出
開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴(kuò)展性好
支持常溫及低溫、高溫測(cè)試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用
測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供
整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們
