半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(蕞大擴(kuò)展至12kV);
大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化配置,可添加或升級(jí)測(cè)量單元;
測(cè)試效率高:可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試;
溫度范圍廣:支持常溫、高溫測(cè)試;
兼容多種封裝:根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具;
系統(tǒng)參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) |
最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | |
準(zhǔn)確度 | ±0.1% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15μs | |
大電流脈寬 | 50μs~500μs | |
漏電流測(cè)試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V |
蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
準(zhǔn)確度 | ±0.05% | |
最小電壓分辨率 | 30μV | |
最小電流分辨率 | 10pA | |
電容測(cè)試 | 典型精度 | ±0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ |
準(zhǔn)確度 | ±2℃ |
測(cè)試項(xiàng)目
二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可以完成多項(xiàng)參數(shù)測(cè)試,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。