IGBT產品，按照封裝形式和集成程度的不同，可分為IGBT裸片、IGBT單管、IGBT模塊以及IPM/PIM模塊。其中，IGBT模塊主要構成為，芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），散熱基板、DBC基板，焊料層，鍵合引線等。在IGBT模塊封裝過程中，主要工藝有焊接，鍵合，注膠與固化，測試等。

普賽斯儀表推出的HCPL100大電流脈沖源，E系列高電壓源，數據采集卡等產品，也主要是針對IGBT模塊封裝過程中動靜態測試，以及可靠性測試中使用。

1. IGBT測試

IGBT規格參數

IGBT產品技術參數較多，一般會包含如下幾種類型參數：靜態參數，動態參數，熱參數。

靜態參數：

靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數，相關參數主要有：門極開啟電壓、門極擊穿電壓，集電極發射極間耐壓、集電極發射極間漏電流，寄生電容：輸入電容、轉移電容、輸出電容，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

動態參數

動態參數是指開關過程中的相關參數，這些參數會隨著開關條件如電壓，工作電流，驅動電壓，驅動電阻等的改變而變化，相關參數有柵極電荷，導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間、開通損耗、關斷損耗、反向恢復電流、反向恢復時間以及反向恢復能量等。

熱參數

熱參數主要指IGBT模塊散熱性能，以及溫度適用范圍。使用環境溫度，以及IGBT模塊的散熱能力，會對模塊內部各種組件，以及工作特性參數，產生重要影響。常見的熱參數主要為熱阻，如模塊結殼熱阻，瞬間組態熱阻抗等。

IGBT測試類型

靜態測試

靜態測試，主要是關于IGBT靜態參數的測試。測試方法，一般選取在模塊兩個端子，加載電壓或者電流，測試這兩端，或者第三端的電壓，電流能力，I-V曲線等。

動態測試

動態測試，主要是用于測試IGBT動態參數，目前，主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計算出相應的參數。

可靠性測試

IGBT可靠性測試，主要是結合IGBT額定的電參數值，對其進行可靠性驗證，或者失效分析，從而完成對它性能評估，篩選，以及分析。測試方法有多種，主要包括，高溫反偏測試(HTRB)，高溫柵偏測試(HTGB)，高溫高濕反偏測試(HTRB)，功率循環，溫度循環等。