該產(chǎn)品是由射頻電源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成，適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱 | PECVD系統(tǒng) |
| 產(chǎn)品型號 | KJ-T1200-PE |
| 外殼 | 不銹鋼 |
| 內(nèi)襯 | 兩層氧化鋁纖維 |
| 加熱元件 | 電阻絲 |
| 電源供應 | AC 208-240V，單相，50/60 Hz |
| 溫度 | 1200°C (2 hour) |
| 工作溫度 | 1100 °C |
| 溫度均勻 | ±1°C |
| 加熱和冷卻速率 | ≤15 °C/S |
| 爐管尺寸 | Φ200×1400mm |
| 管材 | 優(yōu)質(zhì)石英管 |
| 加熱區(qū)大小 | Φ250×300mm |
| 恒定溫度， 區(qū)域長度 | 180mm |
| 密封 | 法蘭 |
| 功率 | 8KW |
| 溫度控制 | 30 個可編程段，用于精確控制加熱速率、冷卻速率和停留時間。 內(nèi)置 PID 自動調(diào)諧功能，具有過熱和熱電偶斷路保護。 過溫保護和警報允許在沒有服務人員的情況下進行操作。 +/- 1 ºC 溫度精度。 |
| 準確 | ±1°C |
| 總重量 | 100Kg |
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