單室磁控濺射鍍膜儀
主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
簡單介紹：
單室磁控濺射鍍膜儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
詳情介紹：
單室磁控濺射鍍膜儀設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
技術參數：
真空室 | 圓型真空室，尺寸Ø 450×50mm | |
真空系統配置 | 復合分子泵、機械泵、閘板閥 | |
極限壓力 | ≦6.67*10-5 Pa （經烘烤除氣后） | |
恢復真空時間 | 40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。（系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣） | |
磁控靶組件 | 永磁靶三套；靶材尺寸Ø60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調；當直接向上濺射時，靶與樣品距離40~80mm可調 | |
基片水冷加熱公轉臺 | 基片結構 | 基片加熱與水冷獨立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺 |
樣品尺寸 | Ø30mm | |
運動方式 | 基片可連續回轉，轉速 5~10 轉／分 | |
加熱 | 基片加熱*高溫度600℃±1℃ | |
基片負偏壓 | －200V | |
氣路系統 | 質 量 流 量 控制器 2 路 | |
計算機控制系統 | 控制樣品轉動，擋板開關，靶位確認等 | |
可選配件6工位基片加熱公轉臺 | 拆下單基片水冷加熱臺可以換上該轉臺。可同時放置6片30mm的基片；6個工位中，其中一個工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃ | |
設備占地面積 | 主機 | I300×800mm2 |
電控柜 | 70×700m2 | |
