真空磁控濺射鍍膜系統
永磁磁控濺射靶（三個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。廣泛應用于科研院所，實驗室制備單層或多層薄膜，以及新材料新工藝研究。
簡單介紹：
真空磁控濺射鍍膜系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（三個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。廣泛應用于科研院所，實驗室制備單層或多層薄膜，以及新材料新工藝研究。
詳情介紹：
真空磁控濺射鍍膜系統設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
技術參數：
真空室 | 圓筒型前開門結構，尺寸Ø450×40mm | |
真空系統配置 | 復合分子泵、機械泵、氣動閘板閥、進口SMC氣缸節流閥 | |
極限壓力 | ≤6.6 *10-6 Pa。（經烘烤除氣后） | |
恢復真空時間 | 25 分鐘可達到≤6.6×10-6 Pa。（短時間撰茲大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣） | |
磁控靶組件 | 永磁靶三套；靶材尺寸Ø60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調；每個靶配進口 SMC 旋轉氣動擋板 | |
單基片加熱臺 | 樣品尺寸 | Ø4英寸 |
運動方式 | 基片可連續回轉，轉速 0－30 轉/分 | |
加熱 | 進口加熱絲加熱，zui高加熱溫度 600℃ ±1℃ | |
擋板形式 | 進口 SMC 轉角氣缸控制 | |
氣路系統 | 質 量 流 量 控制器 2 路 | |
計算機控制系統 | 采用 PLC ＋工控機＋觸摸屏全自動控制方式 | |
可選配件 | 膜厚儀、氣泵、水冷循環機 | |
設備占地面積 | 主機 | I000×1800mm2 |
電控柜 | 900×600mm2 | |
