可程控磁控濺射鍍膜儀
主要由濺射真空室、磁控濺射靶、離子轟擊、公轉基片臺、光加熱系統、濺射電源、工作氣路、真空獲得系統、安裝機臺、真空測量、水冷卻及報警系統和控制系統等組成。
簡單介紹：
可程控磁控濺射鍍膜儀為單腔室結構，主要由濺射真空室、磁控濺射靶、離子轟擊、公轉基片臺、光加熱系統、濺射電源、工作氣路、真空獲得系統、安裝機臺、真空測量、水冷卻及報警系統和控制系統等組成。
詳情介紹：
可程控磁控濺射鍍膜儀由工控機和PLC實現控制，有自動和手動控制兩種模式。除取放樣品外，其它操作過程全部在觸摸屏上實現；提供真空系統、濺射工藝設置、充放氣系統等人機操作界面；在工控機上可通過配方設置參數，實現對程序工藝過程和設備參數的設置。
設備用途：
該產品可廣泛應用于半導體、LED和光伏等行業，主要用于各種金屬、半導體及介質材料的薄膜制備，可滿足科研兼小批量生產需要。
技術參數：
濺射室極限真空 | ≤8.0×10-6Pa | |
恢復真空時間 | 系統從大氣抽至1.0×10-3 Pa≤15min | |
均勻性 | 膜厚不均勻性≤±5%；片間不均勻性≤±5%；批次間不均勻性≤±5% | |
濺射真空室 | 圓筒形結構，尺寸Ф800mm×250mm | |
磁控濺射系統 | 永磁靶4支，靶材尺寸6英寸； 配1臺進口電源（射頻或直流脈沖可選）； 濺射速率：0.5～5埃/秒（靶材Al） | |
公轉基片臺 | 6英寸6片，（4英寸12片或3英寸16片）； 基片公轉3～15轉/分，連續可調，可選配公自轉復合工件臺 | |
光加熱系統 | 樣品加熱溫度：室溫～250℃，連續可調； 基片溫度不均勻性：≤±10℃； 控溫方式為PID自動控溫及數字顯示，配備進口控溫表 | |
工作氣路 | 2路質量流量控制器氣路 | |
抽氣機組成 | 低溫泵（進口）、羅茨干泵機組、氣動閘板閥（進口）、管路等 | |
真空測量 | 2個真空計（進口）對系統真空、工作真空及前級真空進行**檢測；真空度在工控機觸膜屏上可直觀顯示；可準確監控濺射鍍膜工藝過程的真空度 | |
控制系統 | 系統由工控機（觸摸屏）和進口PLC實現對整個系統的控制 | |
占地面積 | 主機 | 1500×1000mm2 |
電控柜 | 700×700mm2（一個） | |
