上海德竹芯源科技有限公司
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PHI 710 掃描俄歇納米探針是一臺高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區域，超薄薄膜和多層結構材料表界面的元素態和化學態信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710 可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
特點
SEM分辨率 ≤ 3 nm, AES分辨率 ≤ 8 nm
● 在俄歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖，深度剖析及元素分布成像，首先需要在 SEM 圖像上定義樣品分析區域，同時要求束斑直徑小且穩定。PHI 710 SEM 圖像的空間分辨率小于 3 nm，AES的空間分辨率小于 8 nm（@ 20 kV, 1 nA），如下圖所示。
圖1 Si基底上的Au的SEM圖像，PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm
圖2 鑄鐵韌性斷裂的界面分析，左邊是SEM圖像，中間是鈣，鎂，鈦的俄歇成像譜圖疊加，右邊則是硫的俄歇成像，這充分證明了PHI 710在納米級的尺度下的化學態的分析能力
同軸筒鏡分析器（CMA）
● PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設計，具有靈敏度高和各個角度均可收集信號的特點，滿足了表面粗糙不平整樣品對俄歇分析全面表征能力的需求。如上圖所示，所有俄歇的數據都是從顆粒的各個方向收集而來，成像沒有陰影。若設備配備的不是同軸分析器，則儀器的靈敏度會降低，且成像有陰影，一些分析區域會由于位置的原因而無法分析。如果想要得到高靈敏度，只能分析正對著分析器的區域。如下圖所示，若需要對顆粒的背面，顆粒與顆粒之間的區域分析，圖像會有陰影。
俄歇能譜儀的化學態成像
圖譜成像
● PHI 710 能從俄歇成像分析的每個像素點中提取出譜圖的相關信息，該功能可實現化學態成像。
高能量分辨率俄歇成分像
● 下圖是半導體芯片測試分析，測試的元素是 Si。通過對 Si 的俄歇影像進行線性最小二乘法擬合（LLS），俄歇譜圖很清楚地反映出了三個 Si 的不同化學態的區域，分別是：單質硅，氮氧化硅和金屬硅，且可以從中分別提取出對應的 Si 的俄歇譜圖，如最下方三張圖所示。
納米級的薄膜分析
● 如下圖SEM圖像中所示，以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷，這是由于退火后，在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區域和正常區域設置了一個分析點，分析條件為高能量分辨率模式下（0.1%），電子束直徑 20 nm，離子槍采用 0.5 kV 設定，如下圖所示，在 MultiPak 軟件中，采取最小二乘擬合法用于區分金屬鎳和硅鎳化合物，同樣區分金屬硅和硅化物。可以看出，硅鎳化合物僅存在于界面處，而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是，在鎳涂層的缺陷處，發現了硅鎳化合物。
PHI SmartSoft-AES用戶界面
● PHI SmartSoft 是一個方便使用的儀器操作軟件。軟件通過任務導向和卷標橫跨頂部的顯示指導用戶輸入樣品，定義分析點，并設定分析。一個強大的“自動Z軸定位"功能可定義多個分析點并達到理想的樣品分析定位。簡潔明了的界面設計及軟件功能設置可以讓操作者快速上手，方便設置，保存和調取分析參數。
PHI MultiPak 數據處理軟件
● MultiPak 軟件擁有全面的俄歇能譜數據庫。采譜分析，線掃描分析，成像和深度剖析的數據都能用 MultiPak 來處理。它強大的功能包括峰的定位，化學態信息及檢測限的提取，定量測試和圖像的增強等。
選配件
● 真空室內原位樣品放置臺
● 原位斷裂
● 真空傳送管
● 預抽室導航相機
● 電子能量色散探測器（EDS）
● 電子背散射衍射探測器（EBSD）
● 背散射電子探測器（BSE）
● 聚焦離子束（FIB）
應用領域
● 半導體組件：缺陷分析、刻蝕／清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴散現象分析、封裝問題分析等、FIB組件分析
● 顯示器組件：缺陷分析、刻蝕／清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴散現象分析等
● 磁性儲存組件：定義層、表面元素、接口擴散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等
● 玻璃及陶瓷材料：表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶界分析等
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