武漢普賽斯儀表PMDT系列IGBT全動態參數測試設備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態參數測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗，評估器件的安全工作區，對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感
PMDT系列IGBT全動態參數測試設備，2000V/2000A雙脈沖測試范圍，最大12kA短路電流，＜20nH超低主回路雜感，<2us過流保護時間
設備概述PMDT功率器件動態參數測試系統是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態參數測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗，評估器件的安全工作區，對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感。設備既可以用于功率器件選型評估，又可以用于驅動電路和功率母排的優化設計，能夠幫助用戶開發性能更優化、工作更可靠的電力電子功率平臺。
系統組成
PMDT功率器件動態參數測試系統主要由雙脈沖信號發生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統配備多種測試驅動板，可覆蓋開關參數測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試；具備數據管理功能，可實時保存測試結果及波形曲線，自動生成測試報告
系統特點
高電壓達2000V（最大擴展至8kV）
大電流達2000A（可擴展至6000A）
低寄生電感設計：＜20nH寄生電感
安全防護機制：集成防爆、過流/過壓保護
全功能測試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數
自動化與智能化，負載電感自動切換
溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)
兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具
IGBT全動態參數測試設備測試參數
開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t 關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、 關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t
反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t 短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t
反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t
測試夾具 針對市面上不同封裝類型的功率半導體，如IGBT、SiC、MOS等產品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試
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