功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試簡(jiǎn)介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、納安級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。        

系統(tǒng)組成 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。          

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴(kuò)展到12kV，且自帶漏電流測(cè)量功能。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測(cè)試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測(cè)試，頻率默認(rèn)1MHz，可擴(kuò)展至10MHz

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；  
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元；
測(cè)試效率高：可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測(cè)試；
兼容多種封裝：根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)                                                                                                                                         

測(cè)試項(xiàng)目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導(dǎo)g_fs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO

功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢，普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！