【儀表網 儀表標準】2020年12月28日，北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發布一項聯盟標準T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》。本標準自2021年1月1日開始實施。
 

　　該項標準由中國科學院微電子研究所牽頭起草，按照CASAS標準制定程序(立項、征求意見稿、委員會草案、發布稿)，反復斟酌、修改、編制而成。標準的制定得到了很多CASA標準化委員會正式成員的支持。
 

　　隨著碳化硅材料、器件技術的不斷突破與發展，碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)近年來在新能源、電動汽車等領域應用越來越廣泛，并取得了不錯的示范效果。為了加快推進SiC MOSFET功率器件的產業化發展和規模化應用，迫切需要制定SiC MOSFET功率器件的標準和規范，以指導和促進SiC MOSFET功率器件的性能不斷提升，質量更加可靠，應用更符合實際需求。
 

　　本文件充分借鑒了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的內容，并結合了近幾年科研人員在SiC MOSFET功率器件的研發、測試評估以及應用方面的經驗總結，對SiC MOSFET的動靜態參數、可靠性考核測試方法等進行了詳細的規定，但局限于當前科研人員對SiC MOSFET器件的認知，以及該產品生產與應用所處的發展階段，可能還存在一些不足的地方，后續將根據研究進展不斷進行完善和升級。
 

　　T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》主要起草單位有中國科學院微電子研究所、能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、華大半導體有限公司、株洲中車時代電氣股份有限公司、北京世紀金光半導體有限公司。中國電子科技集團公司第十三研究所、東莞市中鎵半導體科技有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、派恩杰半導體(杭州)有限公司和山東閱芯電子科技有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司等單位為本文件的撰寫提供了大量的支持。