【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】互聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息技術(shù)的快速發(fā)展，對存儲器的存儲密度、訪問速度以及操作次數(shù)都提出了更高的要求。氧化鉿基鐵電存儲器具有低功耗、高速、高可靠性等優(yōu)勢，被認為是下一代非易失性存儲器技術(shù)的潛在解決方案。現(xiàn)在普遍研究的正交相(orthorhombic phase，簡稱“o相”)HfO2基鐵電材料由于自身高鐵電翻轉(zhuǎn)勢壘和“獨立翻轉(zhuǎn)”的偶極子翻轉(zhuǎn)模式，使基于該鐵電材料的器件具有高矯頑場，導(dǎo)致器件工作電壓與先進技術(shù)節(jié)點不兼容、擦寫次數(shù)受限等問題。這一問題是基于o相HfO2基鐵電材料的本征特性，難以通過傳統(tǒng)的優(yōu)化工藝加以解決。因此，探尋結(jié)構(gòu)穩(wěn)定且具有低翻轉(zhuǎn)勢壘的HfO2基鐵電材料是亟待解決的難題。 (買儀表，賣儀表就上儀表網(wǎng)！ 查產(chǎn)品、看訂單…一站式全搞定！)
 

　　中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室劉明院士團隊與物理研究所研究員杜世萱團隊合作，發(fā)現(xiàn)了穩(wěn)定的鐵電三方相Hf(Zr)1+xO2材料結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)降低了HfO2基鐵電材料中鐵電偶極子的翻轉(zhuǎn)勢壘。研究通過基于密度泛函理論(DFT)的第一性原理計算發(fā)現(xiàn)，當Hf(Zr)1+xO2材料中，Hf(Zr)與氧的比例大于1.079:2時，三方相的形成能低于鐵電o相和單斜相(m相)的形成能。掃描透射電子顯微鏡(STEM)實驗清晰顯現(xiàn)了過量Hf(Zr)原子嵌入在鐵電三方相晶格的晶體結(jié)構(gòu)，證實了理論計算的結(jié)果。嵌入的Hf(Zr)原子擴展了晶格，增加了其面內(nèi)和面外應(yīng)力，起到了穩(wěn)定Hf(Zr)1+xO2材料結(jié)構(gòu)和降低其鐵電翻轉(zhuǎn)勢壘的作用。基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的鐵電器件展示了超低矯頑場(~0.65MV/cm)、高剩余極化(Pr)值(22μC/cm2的)、小的飽和極化電場(1.25MV/cm)、和大的擊穿電場(4.16MV/cm)，并在飽和極化下實現(xiàn)了1012次循環(huán)的耐久性。這一研究結(jié)果為低功耗、低成本、長壽命的存儲器芯片提供了一種有效的解決方案。
 

　　研究工作得到科學技術(shù)部、國家自然科學基金、北京市自然科學基金、中國科學院的支持。近期，相關(guān)研究成果發(fā)表在《科學家》(Science)上。中國科學院大學的科研人員參與研究。
 

圖1. 平面鐵電電容器的基本特性及Hf(Zr)1+xO2薄膜的結(jié)構(gòu)表征
 

　　圖2. 富含Hf(Zr)原子的菱面體Hf(Zr)1+xO2薄膜的原子尺度STEM分析
 

圖3. 基于密度泛函理論(DFT)的第一性原理計算
 

圖4. 基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的鐵電電容器的性能