湖北小型探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)腔體
樣品臺(tái)尺寸：1.5英寸
樣品固定方式：彈簧壓片
觀察窗口：2英寸
真空度：10-3torr（機(jī)械泵）/10-6torr（分子泵）
探針臂接口：最多6個(gè)探針臂接口
其它接口：多6個(gè)探針臂接口
制冷方式：電信號(hào)接口、真空接口、控溫接口液氨
控溫方式：溫控器
溫度范圍：77K-473K/573K/873K/
溫度分辦率：0.1K/0.01K/0.001K
穩(wěn)定性：士1K/士0.1K/士0.01K
顯微鏡
移動(dòng)形式：全范圍移動(dòng)
光源：同柚光源
CCD：1200萬(wàn)像素
顯微鏡倍率：0.6X-5X
光學(xué)放大倍率：18-200倍
調(diào)焦行程：42mm
探針臂
X Y- 行程：Y50mm+XYZ12mm*12mm*12mm
組成結(jié)構(gòu)：外置採(cǎi)針臂，真空波線管績(jī)構(gòu)
移動(dòng)精度：2um/0.5um
探針夾具
線纜：同軸線/三軸線
漏電精度：10pA/100fA/10fA
探針固定：螺絲固定
接頭類型：BNC/三軸/香蕉頭/鱷魚(yú)夾/接線端子
探針
頻率支持：DC-100Mhz
針尖大小：0.2um/1um/2um/5um/10um/20um/50um/100um
材質(zhì)：鎢鋼/鈹銅
湖北小型探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)典型應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體器件研發(fā)
材料特性表征：測(cè)量硅、GaAs、GaN等半導(dǎo)體材料的電阻率、遷移率、載流子濃度，優(yōu)化材料生長(zhǎng)工藝。
器件電學(xué)測(cè)試：評(píng)估晶體管（如MOSFET、HEMT）的導(dǎo)通特性、擊穿電壓、噪聲系數(shù)，指導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化。
光電與傳感器開(kāi)發(fā)
光電探測(cè)器測(cè)試：分析LED、激光二極管、光電二極管的光功率、量子效率、暗電流，提升光電轉(zhuǎn)換效率。
傳感器靈敏度驗(yàn)證：檢測(cè)壓力傳感器、溫度傳感器與生物傳感器的響應(yīng)特性，優(yōu)化傳感器的靈敏度與線性度。
失效分析與可靠性驗(yàn)證
封裝器件測(cè)試：檢測(cè)封裝后芯片的引腳鍵合強(qiáng)度、熱阻、ESD耐受性，確保器件在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。
熱循環(huán)測(cè)試：通過(guò)快速溫變（如-40℃至150℃）模擬器件在實(shí)際使用中的熱應(yīng)力，評(píng)估封裝材料的熱匹配性與失效風(fēng)險(xiǎn)。
