脈沖激光分子束外延系統
(PLD MBE)
憑借著優異的性能, PVD公司生產的脈沖激光沉積分子束外延系統在國內外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來參觀咨詢。
(PLD MBE)
憑借著優異的性能, PVD公司生產的脈沖激光沉積分子束外延系統在國內外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來參觀咨詢。
PVD公司是美國主要制造商，是一家專業從事脈沖激光沉積分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉積系統及組件的設計和制造的公司，提供超高真空薄膜沉積系統，應用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產品主要集中在小型研究開發系統，其應用主要包括：
用分子束外延進行半導體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長；
UHV磁控濺射磁性薄膜；
脈沖激光沉積超導薄膜、氧化物和陶瓷材料。
儀器主要配置：
主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統，樣品旋轉，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發源，電子束蒸發源，射頻RF離子源。
應用主要包括：
分子束外延系統（MBE）；
GaAs、InP和GaSb外延；
HgCdTe外延；
GaN、InN和AlN外延；
Ⅱ-Ⅵ族外延；
SiGe外延；
Si/金屬/氧化物外延；
超高真空物理氣相沉積（PVD）系統；
磁控濺射系統；
脈沖激光沉積（PLD）系統；
電子束蒸發系統；
離子束沉積系統；
熱蒸發系統。
PVD公司已經在范圍內安裝了超過100套的超高真空系統。絕大部分的產品都是針對用戶定制設計復雜的沉積系統。在標準系統制造業中有著深厚的為用戶定制設計的背景，在用戶中具有很好的聲譽。許多的標準系統初都是起源于針對某些客戶對沉積過程特殊需求和超高真空薄膜沉積系統制造商的產品和服務。
用分子束外延進行半導體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長；
UHV磁控濺射磁性薄膜；
脈沖激光沉積超導薄膜、氧化物和陶瓷材料。
儀器主要配置：
主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統，樣品旋轉，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發源，電子束蒸發源，射頻RF離子源。
應用主要包括：
分子束外延系統（MBE）；
GaAs、InP和GaSb外延；
HgCdTe外延；
GaN、InN和AlN外延；
Ⅱ-Ⅵ族外延；
SiGe外延；
Si/金屬/氧化物外延；
超高真空物理氣相沉積（PVD）系統；
磁控濺射系統；
脈沖激光沉積（PLD）系統；
電子束蒸發系統；
離子束沉積系統；
熱蒸發系統。
PVD公司已經在范圍內安裝了超過100套的超高真空系統。絕大部分的產品都是針對用戶定制設計復雜的沉積系統。在標準系統制造業中有著深厚的為用戶定制設計的背景，在用戶中具有很好的聲譽。許多的標準系統初都是起源于針對某些客戶對沉積過程特殊需求和超高真空薄膜沉積系統制造商的產品和服務。
