反應離子刻蝕系統RIE600W是一款進口等離子體反應離子蝕刻機,用于各向同性蝕刻,蝕刻氧化物、氮化物、聚合物等薄膜。等離子體蝕刻系統可容納直徑達200mm的晶片樣品。我們的定制的反應離子刻蝕系統可根據幾何形狀和研究需要處理各種樣品尺寸。
反應離子刻蝕系統可以手動或PC控制，可以是桌面或獨立機柜系統。
反應離子刻蝕系統RIE600W用于各向同性蝕刻材料，包括金屬氧化物、硅和微電子器件。配有自動匹配網絡和腐蝕性氣體的全功率600瓦射頻電源可對各種材料產生10°/s的蝕刻速率。
反應離子刻蝕系統???????RIE600W自動射頻功率控制確保了手動射頻功率控制無法實現的過程的一致再現。RIE600渦輪分子阻力泵系統可達到10-5Torr的基本壓力。這種低真空在開始每個過程之前消除雜質。這是新蝕刻工藝所必需的。
反應離子刻蝕系統???????特點
緊湊的桌面設計，適用于樣品的各向同性蝕刻（20英寸x 24英寸的占地面積）
帶頂部開口的鋁或不銹鋼腔室（蛤殼式）
腔室上的小視圖端口
水冷6''晶片/樣品臺（最多可容納一個6''晶片）
蝕刻/清潔的均勻性（在6''晶片上小于5%）
帶匹配網絡的射頻電源
匹配雙級旋轉葉片泵的渦輪分子真空泵系統
用于工藝氣體的帶數字讀數的質量流量控制器
定制一體式氣體淋浴器
帶數字顯示和讀數的真空計（測量至0.1mTorr）
半自動控制系統
反應離子刻蝕系統可以手動或PC控制，可以是桌面或獨立機柜系統。
反應離子刻蝕系統RIE600W用于各向同性蝕刻材料，包括金屬氧化物、硅和微電子器件。配有自動匹配網絡和腐蝕性氣體的全功率600瓦射頻電源可對各種材料產生10°/s的蝕刻速率。
反應離子刻蝕系統???????RIE600W自動射頻功率控制確保了手動射頻功率控制無法實現的過程的一致再現。RIE600渦輪分子阻力泵系統可達到10-5Torr的基本壓力。這種低真空在開始每個過程之前消除雜質。這是新蝕刻工藝所必需的。
反應離子刻蝕系統???????特點
緊湊的桌面設計，適用于樣品的各向同性蝕刻（20英寸x 24英寸的占地面積）
帶頂部開口的鋁或不銹鋼腔室（蛤殼式）
腔室上的小視圖端口
水冷6''晶片/樣品臺（最多可容納一個6''晶片）
蝕刻/清潔的均勻性（在6''晶片上小于5%）
帶匹配網絡的射頻電源
匹配雙級旋轉葉片泵的渦輪分子真空泵系統
用于工藝氣體的帶數字讀數的質量流量控制器
定制一體式氣體淋浴器
帶數字顯示和讀數的真空計（測量至0.1mTorr）
半自動控制系統
