對傳統熱蒸發技術難以實現的材料蒸發,可采用電子束蒸發(E-beam Evaporation)的方式來實現。不同于傳統的輻射加熱和電阻絲加熱,高能電子束轟擊可實現超過3000℃的局域高溫,這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發出來,甚至是高熔點的材料,例如,Pt,W,Mo,Ta以及一些氧化物,陶瓷材料等。矽碁提供的電子束蒸發源可承載1-6種不同的材料,實現多層膜工藝;蒸發源本身防污染設計,使得不同材料之間的交叉污染降到。
技術參數:
1 本底真空10-7 Torr;
2 基片臺可定制,單片或多片;
3 坩堝數量:1 ~ 6;
4 坩堝防污染設計;
5 石英晶振測量膜厚;
6 樣品可旋轉并加熱至:300℃/500℃/800℃;
7 可配備離子束輔助沉積;
8 可配備快速進樣室;
9 可與手套箱集成;
10 可根據用戶要求將其它鍍膜技術與電子束蒸發集成,例如磁控濺射,熱蒸發等。
11 全自動控制系統