IGBT試驗臺系列
高溫阻斷試驗臺
阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體 器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規定的時間，從而對器件進 行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。
一般情況下，此項試驗是對器件在結溫（Tjm ℃）和規定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規定時間的 試驗，并根據抽樣理論和失效判定依據，確認是否通過， 同時獲 取相關試驗數據。
該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。可供半導體器件配以適當的溫度可控裝置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反 偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。
系統組成
漏電流保護回路 試驗電壓保護回路
在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當試品在試驗期內發 生劣化或突然擊穿或轉折，保險絲將熔斷，設備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。
試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設定值比較，當試驗電壓高于電壓保護設定值時，過壓報警器響， 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。
高壓回路
電特性參數測試回路 試驗電壓 試品漏電流
由電源開關、控制繼電器、自藕調壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產生規定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。
由電壓取樣回路，經采集、保持 電路送到設備的數字電壓表顯示；
對每一試品漏電流獨立采樣，通 過設備上的波段開關分別進行轉 換，傳送到數字電流表顯示。
技術指標
試驗電壓 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 連續可調， 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
試驗溫度
溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動度±0.5℃
試驗工位 10工位 試驗容量 80×16=1280位
加電方式
器件試驗參數從器件庫中導入，ATTM自動加電試驗 方式，可單通道操作；老化電源可根據設定試驗電壓 和上電時間程控步進加載
高壓反偏試驗臺
技術指標
0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.
器件在特定溫度下存儲一定時間后，先測試IR ，每只 器件依次進行測試，測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR，依次采集電流。間隔時間為約100mS。
50V～5000V ±3%±10V。 測試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
靜態參數測試 高壓反偏測試
測試 參數 IR
測試 參數 BVR
測試 方法
試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機設定 測試方法： 器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電壓下對每只器件同 時持續加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結果， 監控各器件反壓下漏電流參數，并保存測試數據。
功能指標
-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空載時) ≤±3℃(空載時) 不小于1～3℃/min（空載時） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
試驗高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動 溫度均勻 升溫速率 供電電源
規格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質 量：175kg
測試工位：20工位
工位轉換：自動切換
耐溫范圍：-50ºC～140ºC
基礎規格 設備
高壓反偏試驗 1套 PC 機 1臺 控制軟件 1套 溫度箱 1臺
正向壽命試驗臺
系統概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優點，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運
行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積極發展功率模塊壽命預測技術以提高變流器運行可靠性。
技術指標
測試參數 VF
0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測試條件 正向電流：1mA～60A 直流方波 脈寬 50uS-1mS 工位 20只
測試方法
器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電流后 按規定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間 隔時間約100mS
