摘要 TRICONEX 3003現在是把我們的目光專注到有害的EMI源上面的時候了。當我們從EMI的角度看任何一款產品時，整個設計可以被看作是能量源和天線的一個集合。

摘要 TRICONEX 8312與在高度受控的EMI測試線上執行的測量不同，可以使用測試報告中的信息、深入理解用于產生報告的測量技術以及對待測設備周邊的相對觀察以隔離問題源并估計糾正有效性來開展問題的排查工作。

摘要 TRICONEX 8110測量得到的幅度、校準后的校正因子以及調整后的場強。然后將調整后的場強與下一欄中的指標進行比較，確定余量或超額量，顯示在zui右欄。

摘要 TRICONEX 4119雖然許多測試條件在報告中是明確表示的，但一些需要考慮的重要事情可能并不那么明顯。在審查設計并試圖判斷問題源時，理解測試室如何生成這種報告是很有幫助的。

摘要 TRICONEX 3700通常公司為了避免這樣的情景出現，會在設計和原型建立階段做一些“預先的*性”測量。更好的做法是在產品發出去做*性測試之前就能夠確定和修復潛在的EMI問題。

摘要 TRICONEX 3511離開微軟之后，*開始擔任 Juniper 網絡公司的 CEO。Juniper 是一家總部位于加州的跨國公司，它主要為客戶提供網絡、網絡安*方案等方面的業務。

摘要 TRICONEX 3008并為 Windows 和線上業務部門的發展奠定了良好的基礎；在新的架構下，我們將會更加靈活與專注。我很開心能與他一起工作，希望他以后會更好。

摘要 TRICONEX 3006同時，得益于4G網絡的逐漸普及以及提速降費等政策利好，我國用戶流量潛在需求得到釋放。此外，2017年是物聯網發展zui為關鍵的一年，NB－IOT也將于2017年啟動商用。

摘要 FCP270VoWiFi能彌補LTE室內覆蓋不足，增加用戶粘性。也就是說，任何Wi－Fi可以通過互聯網接入運營商的核心網，用戶享受到電線級別的語音服務，彌補3G／4G室內覆蓋不足，提升用戶粘性。

摘要 ZCP270年產業鏈積極推動VoWiFi應用，VoWiFi已經逐步與VOLTE形成融合趨勢。在終端方面，2016年，國內手機市場增速明顯下降，基本完成4G過渡。

摘要 FEM100當有驅動電流流過光藕合器中的發光二極管，光電三極管受光飽和。其發射極輸出高電平，從而達到信號傳輸的 目的。這樣即使輸入回路有干擾。只要它在門限之內，就不會對輸出造成影響。

摘要 P0912XX利用金屬材料制成容器．將需要保護的電路包在其中，可以有效防止電場或磁場的干擾，此種方法稱為屏蔽。屏蔽又可分為靜電屏蔽、電磁屏蔽和低頻磁屏蔽等。

摘要 FCM10EF輸入信號從耦合電容 C1 經 R1 接入反相輸入端，而同相輸入端通過電阻 R3 接地。反相輸入接法的電壓放大倍數可以大于 1 、等于 1 或小于 1 。

摘要 FBM242這樣可以補償直流衰減，加反饋電容Cf會降低高頻閉環電壓放大倍數，Cf的選取方法是：使放大電路在單位增益頻率fT時的容抗Xcf≤Rf/10，又Xf=l/（2πfTCf），一般情況下，Ro=50～200Ω，Cf約為3～10pF。

摘要 FBM224當對發射結施加電壓在 0.9V 時，相當于閘門已打開三分之二的狀態時，水底部已經可以有三分之二的水通過水嘴流出來了，此時， ec 之間的電阻值也下降了三分之二， ec 之間的電流處于調控或者說是放大狀態。

摘要 FBM217無論從原理的設計，元件的選型，模塊的配置、PCB的繪制，都是精心篩選、策劃、布局的。繼而讓每個購買者“玩”的舒心、快捷、方便、全面。

摘要 FBM216本書從工程實踐的角度出發，整理了作者在單片機學習、實踐中的大量經驗，旨在讀者熟練應用STC公司*新的單片機。本書共20章，內容由淺入深

摘要 FBM215已經引起大量用家的不滿，不但認為當時所采用的30針接口裝置會因此變廢，變相要讓用戶多花一筆錢購買新裝置，而且閃電接口更比30針脆弱，容易損壞。

摘要 FBM214集成運放必須引入深度負反饋，才能保證其工作在線性區，工作在線性區的應用電路主要包括運算電路、有源濾波電路等。

摘要 FBM213理想集成運算放大器理想運放，機集成運放的性能指標理想化開環電壓增益Aod=∞輸入電阻rid=∞輸出電阻ro=0

摘要 FBM207b低噪聲放大器（LNA），能夠讓智能手機、平板電腦、可穿戴設備和小型物聯網（IoT）設備的智能連接更快速、更可靠。

摘要 FBM207類放大器與A類和AB類放大器不同。后者接收的是模擬信號進行放大，前者則不一定。技術上是存在幾種不同做法的。 既有全程數字化的“全數字放大器”（只有數字輸入端子，無模擬輸入端），也有半程數字的“半數字化放大器”。（帶有模擬輸入端子）

摘要 1746-NIO4I

摘要1746-NI8研究和應用，因此博主對模擬技術的熟悉程度也僅僅局限于自己工作的范圍，對很多實際的應用也是一知半解。過去由于條件的限制，博主對自己工作領域所用到的模擬技術的很多細節，也同樣缺乏理論與實踐相結合的深入研究與驗證，目前正在不斷地投入儀器和人力資源逐步完善和總...

摘要 1746-NI4模擬電路技術應用范圍廣泛，其技術深度、難度和廣度博大精深，一個人的精力和能力確實有限，只能結合實際的需要有選擇地學習

摘要1746-NI16V通過自己動手實踐，理解零點偏移以及因用手去摸電路而導致的振蕩變化，對將來面對更加復雜的電路和故障有很大的幫助。面對繁雜的OP 放大器，作為解決問題的方法，應將重點放在“理解電路，直到可以應用為止”，只要理解了，應用就不難了。從能夠掌握原理的基本點出...

摘要 1746-NI16I對于初學者來說，本書的作者建議初學者親自動手完成書中的實驗。作者認為或許再高深的理論也會由于一根電線的連接錯誤，一個數字的計算錯誤導致前功盡棄。

摘要 1746-INT4OP放大技術既是模擬技術的基礎，又是模擬技術的核心，OP放大器就像一個黑匣子，使人摸不到頭腦，但一旦掌握了其中的技術，就會對設計的幫助很大。

摘要 1746-FIO4V自己想進行設計時，苦于對電子學本質上不懂，不能進行任何方面的設計，只能跟隨著數學式子，僅用頭腦來學，而沒有真正地掌握。”

摘要1746-FIO4I但以本書作者的經驗，即便不采用這些方法，也能掌握電路的工作原理，而且在電路的設計中也沒有感到不便之處。在本書上冊的結束語中，作者談到了自己學習的體會，“回想起當年自己初學電子學的情景，那時讀過的書大部分都是使用等效電路、負載線以及對理論公式進行說明...

摘要 1746-OX8在說明或設計晶體管電路時，并沒有采用等效電路、負載線等過去常考慮的方法。等效電路和負載線是從事電子電路設計的前輩們為了有助于理解電路的工作原理進行簡單的設計而提出來的方法。

摘要1746-OW8首先要出場地的是一套六本裝的“實用電子電路設計叢書”，它們分別為《晶體管電路設計——放大電路技術的試驗解析》（上、下冊）、《OP放大電路設計——從重視再現性設計的基礎到實際應用》、《振蕩電路的設計與應用——RC振蕩電路到數字頻率合成器的實驗解析》、《數...

摘要輝因科技HYM32404AS超微型步進電機驅動器尺寸（L,W,H）: 43mm x 43mm x 10mm 超薄、超輕、zui大傳速: 16細分情況下1.8步進角電機可達每分鐘2100轉（２100rpm）,電機可行的情況下zui大可達30000轉細分: 1、2、4、8...

摘要1746-OVP16TI為使用OPA388的設計人員提供了一系列支持工具，包括演示如何使用精密運算放大器消除數模轉換器中的交叉非線性的參考設計。該參考設計采用DAC8830精密數據轉換器和REF5050電壓基準，為無線基礎設施、測試與測量中的高精度應用創造了一個精確的...

摘要 1746-OV8采用零漂移和零交叉技術，可降低信號鏈的復雜性和外部器件數量，從而使設計人員可以zui大限度地減少電路板空間和物料清單（BOM）成本。

摘要 1746-OV32仿真結果驗證了LBIA相對于MIC和ILA的優勢，可以有效地提高網絡吞吐量，降低端到端時延和丟包率，提高網絡的整體性能。

摘要 1746-OV16本文采用NS2［10］仿真工具進行仿真實驗，將ILA和MIC作為比較，對LBIA性能進行驗證。將NS2模塊進行擴展，以支持多信道多接口和改進的AODV路由協議。

摘要 1746-OBP16這樣LBIA度量兼備負載均衡和干擾感知的能力，能夠準確地識別出重干擾重負載的區域，避開“熱點”區域，合理分配路由，達到提高網絡吞吐量，減少端到端時延的目的。

摘要 1746-OB8由平均隊列長度表示。它表明節點自身負載強度，決定緩存包等待時間與通信能力的強弱，避開重負載區域，提升網絡的吞吐量，保證網絡性能。

摘要 1746-OB6EI這樣通過關注通信負載、節點負載、丟包率、傳輸速率、流內干擾和流間干擾，突破現有路由度量的有限性。

摘要 1746-OB32ECSC通過給定使用同一信道的連續鏈路更高的權重來減少流內干擾，下文將詳細討論。　　ILA路由度量捕捉了流間和流內干擾，但仍存在局限性。

摘要 1746-OB32對路徑選擇造成不小的偏差。此外ILA未考慮節點本身負載，且基于ETT，會造成鏈路質量不準確估計。

摘要 1746-OB16E使用混響室的話（混響室是3GPP*的評估體系之一）就可以評估假設的多徑環境的接收靈敏度。圖5的例子中就將接收靈敏度和吞吐量都改善了約2dB。

摘要 1746-OB16實際上，規定 I CM 值是為避免集電極電流太大時引起 β 值下降過多。一般把 β 值降低到它的zui大值一半左右時的集電極電流定為集電極zui大允許電流 I CM 。

摘要 1746-OAP12當RP和Rb大到一定程度，使Ube《死區電壓（硅管約0.5V，鍺管約0.3）此時be結處于不導通狀態，Ib=0，則Ic=0，處于“截止區”。