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蔡司雙束掃描電鏡Crossbeam 350結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。無論是用于多用戶實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，還是科研或工業(yè)實(shí)驗(yàn)室，利用Crossbeam系列模塊化的平臺(tái)設(shè)計(jì)理念，您可基于自身需求隨時(shí)升級儀器系統(tǒng)（例如使用LaserFIB進(jìn)行大規(guī)模材料加工）。在加工、成像或是實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)分析時(shí)，Crossbeam 350將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應(yīng)用效率。

使您的掃描電鏡（SEM）具備強(qiáng)大的洞察力
提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率
在您的雙束掃描電鏡（FIB-SEM）分析中體驗(yàn)出色的三維空間分辨率

使您的掃描電鏡具備強(qiáng)大的洞察力

通過樣品臺(tái)減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項(xiàng)功能）實(shí)現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。
在進(jìn)行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時(shí)，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時(shí)也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實(shí)現(xiàn)樣品的表征；使用的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。

提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率

得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實(shí)驗(yàn)快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。
使用高達(dá)100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時(shí)，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時(shí)，盡可能降低非晶化損傷。

在您的雙束電鏡分析中體驗(yàn)出色的三維空間分辨率

體驗(yàn)整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢。
在切割、成像或執(zhí)行三維分析時(shí)，Crossbeam系列將提升您的FIB應(yīng)用效率。
使用的快速精準(zhǔn)三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴(kuò)展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進(jìn)行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時(shí)間；精確的體素尺寸和自動(dòng)流程保證圖像質(zhì)量。