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產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否
集電極-發(fā)射極最大電壓	3500V	最大電流	6000A
漏電流測試范圍	1nA~100mA

功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌測試項目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導(dǎo)g_fs、輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO

功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌

產(chǎn)品特點

1、高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至12kV）

具有大電流測量/輸出能力，電流高達6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測量

納安級漏電流，μΩ級導(dǎo)通電阻

0.1％精度測量

四線制測試

3、模塊化配置

可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級空間，后期可添加或升級測量單元

4、測試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試

5、軟件功能豐富

上位機自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測試項目模板，可直接調(diào)取使用

支持曲線繪制

自動保存測試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴展性好

支持常溫及低溫、高溫測試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動使用

功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌

普賽斯功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，配置有多種測量單元模塊，模塊化的設(shè)計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。