IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。

MOSFET|BJT靜態參數測試平臺特點和優勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

系統指標

測試項目

集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯

MOSFET|BJT靜態參數測試平臺集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。