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半導(dǎo)體器件測(cè)試儀器儀表: IGBT測(cè)試設(shè)備晶體管測(cè)試儀傳感器測(cè)試設(shè)備太陽(yáng)能電池片測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體參數(shù)分析儀源表應(yīng)用電流源功率器件測(cè)試系統(tǒng) 數(shù)據(jù)采集卡高壓電源脈沖恒壓源脈沖電流源數(shù)字源表窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件測(cè)試儀

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高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備
高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3.5KV,電流可高...

型號(hào)： PMST-4000... 所在地：武漢市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/1/2 9:02:05 對(duì)比

igbt模塊測(cè)試igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備
普賽斯高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，...

型號(hào)： PMST-6000... 所在地：武漢市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2024/1/2 8:30:07 對(duì)比

寬禁帶材料測(cè)試材料測(cè)試設(shè)備高電流測(cè)試大電壓測(cè)試材料測(cè)試平臺(tái)
SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A
普賽斯SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

型號(hào)： PMST-6000... 所在地：武漢市參考價(jià)： ￥10000更新時(shí)間：2024/1/2 8:25:43 對(duì)比

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備SiC靜態(tài)測(cè)試SiC靜態(tài)參數(shù)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
高電壓大電流igbt測(cè)試儀
普賽斯高電壓大電流igbt測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）...

型號(hào)： PMST-3500... 所在地：武漢市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/1/2 8:07:58 對(duì)比

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