【儀表網(wǎng) 儀表新品】基于長(zhǎng)期積累的化合物光半導(dǎo)體制造技術(shù)，日前，濱松公司成功實(shí)現(xiàn)世界首例中紅外光化合物半導(dǎo)體器件(TypeⅡ超晶格紅外探測(cè)器件)P15409-901的量產(chǎn)，該器件可檢測(cè)波長(zhǎng)至14.3μm的中紅外光，且符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含水銀和鎘。該器件進(jìn)入市場(chǎng)，有望替代現(xiàn)有分析儀器中含有RoHS限制物質(zhì)的光接收器件。
 

　　P15409-901中紅外光化合物半導(dǎo)體器件是將銦和砷的化合物InAs和鎵和銻的化合物GaSb，分別以數(shù)納米的厚度的薄膜，在基板上交替層疊形成的一種特殊結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體器件。探測(cè)可見(jiàn)光主要采用的是由硅材料制成的光學(xué)半導(dǎo)體器件，但想要檢測(cè)波長(zhǎng)比可見(jiàn)光長(zhǎng)的中紅外光，需要使用組合多種材料的化合物半導(dǎo)體器件。濱松此前已經(jīng)成功開發(fā)并銷售了銦、砷和銻材料可以檢測(cè)11μm的光學(xué)半導(dǎo)體器件。到目前為止，濱松公司采用InAs和GaSb薄膜交替層疊在基板上的特殊結(jié)構(gòu)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)大于11μm的中紅外光的檢測(cè)，但為了實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，還需要配套更高要求的生產(chǎn)技術(shù)。
 

　　此次，濱松利用化合物光半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)積累，在實(shí)現(xiàn)精密控制生產(chǎn)設(shè)備的同時(shí)，優(yōu)化了生產(chǎn)條件，建立了一種可以使均勻厚度的InAs和GaSb薄膜進(jìn)行地交替層疊的制造技術(shù)，是世界上首例符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含RoHS指令中限制物質(zhì)水銀和鎘，能夠檢測(cè)至14.3μm的TypeII超晶格紅外探測(cè)器。
 

　　以傅里葉變換紅外分光光度計(jì)為代表，目前利用中紅外光，組裝于分析儀器中用于分析大氣、食品、藥劑中等所包含物質(zhì)的光接收器件，都含有限制物質(zhì)，本產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)替代這部分器件。此外，有望取代組裝于氣體成分分析儀器、物體表面溫度非接觸高靈敏度、高度測(cè)量裝置中現(xiàn)有的光接收器件。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)波長(zhǎng)、高靈敏度，濱松將繼續(xù)推進(jìn)本產(chǎn)品相關(guān)模塊化產(chǎn)品的開發(fā)。