射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置
型號;LDX-ZH21-HRM-1
可開設的實驗
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理;
2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍;
3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜。
主要技術參數
1、濺射鍍膜室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;有效尺寸:Φ220×H230mm3;
2、濺射鍍膜室本底真空:≤1Pa;濺射腔極限真空:6×10-1Pa;
3、濺射靶:Φ50mm,濺射靶臺和濺射靶可調距離:20~60mm;
4、基片加熱溫度可控范圍:室溫~300℃;
5、射頻源功率:500W,13.56MHz;
6、氣路系統:由兩路轉子流量計控制(可選配質量流量計);
7、真空系統:2XZ-4型旋片真空泵,抽氣速率:4L/S,單相220V交流電源供電;
8、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警,并執行相應保護措施;
9、供電電源:AC220V,50Hz,整機功率2KW。\
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:周娜