適用范圍：高純度單晶生長及摻雜研究（for high purity single crystal diamond and doping research）、批量化生產單晶（for massive production of single crystal diamond）
生長速度：可高達50?m/h，甚至更高；
生長范圍：可在直徑50mm范圍內生長、或者在直徑100mm范圍內生長。
單晶研究及摻雜、規模生產型
功率：2.45GHz，6KW；
水冷樣品臺：直徑50mm，樣品臺旋轉可選
真空系統：機械泵+渦輪分子泵TMP
控制系統：半自動或全自動控制
生長速率：高達 50μm/h，or even higher
多種子沉積: 10-25 PCS @5×5, （10×10 or 20×20）
高水平單晶及摻雜工藝培訓，現場演示單晶生長。
整體特點：專門為單晶生產及研究配置，易摻雜；可獲得高純度單晶金剛石（SCD），雜質含量<1ppm，無色透明單晶; 可實現高濃度B-doping、N-doping，獲得高遷移率金剛石半導體，部分研究機構使用我們的設備已經實現產品化。
大規模單晶生產型：
功率：915MHz，30KW
樣品臺：直徑100mm，水冷，旋轉
真空系統：機械泵+分子泵，真空度10-7 Torr
全自動控制模式，手動和半自動可選
生長速率：高達50μm/h
多種子同時生長: 40-100 PCS @5×5, （10×10 or 20×20）
整體特點：專門為大規模單晶生產配置；可獲得高純度單晶金剛石（SCD），可實摻雜，也可以使用該配置設備進行大面積UNCD/PCD生長。
