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公司簡介

         西安誼邦電子科技有限公司為國家*產業園、西安市政府重點支持的*。主要從事半導體分立器件測試儀的研發、生產與銷售等業務。公司主要技術人員均來自航天、航空及半導體技術研究所，具有豐富的專業技術知識和多年測試產品研發經驗。
        公司于2007年引進*進半導體測試技術，研制生產了YB6000系列半導體分立器件測試儀，該測試儀有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術特點，各項技術指標均達到*水平。
       YB6000系列半導體分立器件測試儀主要應用于*、汽車、飛機、船舶制造、能源等領域。
    西安誼邦電子科技憑借較強的技術實力和完善的科學管理，能夠給用戶提供完善的售前售后
       科技創新、服務無限，是我們工作的宗旨。

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產品簡介在線詢價

誼邦電子科技YB6200半導體測試儀測試種類多、速度快、精度高、*性好、操作簡單，編測試程序采用添加方式，數據保存為Excel表格。

半導體測試儀產品詳情

一、系統主要指標如下：

一、主極參數

1、主極電壓： 100mV---2000V

2、電壓分辨率：100mV

3、電壓精度：1%+100mV

4、主極電流：100nA---50A 加選件YB550向下可擴展到20pA，

加選件YB580-X向上可擴展到：500A ，1000A，1250A。

5、電流分辨率：100nA 加選件YB550分辨率為10NA

6、電流精度：1%+10nA+20pA/V

二、控制極參數

1、控制極電壓：100mV---20V 加選件可擴展到80V

2、電壓分辨率：1mV

3、電壓精度：1%+10mV

4、控制極電流：100nA---10A 加選件可擴展到40A

5、電流分辨率：1nA 加選件YB550分辨率為1pA

6、電流精度：1%+10nA+20pA/V

二、測試種類

一、二極管DIODE

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VR	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nAto50mA	5mV	1%+100mV
V_F	0.10V to 5.00V to 9.99V	I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4）	5mV	1%+10mV I_F:1%+ 100nA

二、晶體管 TRANSISTOR

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1）
BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脈沖） BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
H_FE （1to99,999）	V_CE: 0.10V to5.00V^（5） to9.99V to49.9V	I_C: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B:100nAto10A	0.01hFE	V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA
V_CESAT, V_BESAT V_BE（V_BEON）	V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V	I_E:10uA to 49.9A（250A）^（4） to 25A （125A）^（4） I_B:100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV IE:1%+100nA IB:1%+5nA

三、穩壓（齊納）二極管ZENER

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to 50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VZ, V_{Z MIN}, V_{Z MAX} ZZ	0.10Vto50V to700V to999V（kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to3A to100mA to50mA	5mV	1%+10mV
V_F	V_F：0.10Vto5.00V to9.99V	I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4）	5mV	V: 1%+10mV IF: 1%+ 100nA

四、結型場效應管J-FET

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_GSS I_DOFF.I_DGO	0.10Vto20V（80V）^（3） 0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2）to3A 100nA（100pA）^（2） to50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_DGO BV_GSS	0.10V to 999V（2kV） ^（1） 0.10Vto20V（80V） ^（3）	100nAto50 mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
V_DSON,V_GSON I_DSS, I_DSON R_DSON（_混合參數_） G_{FS （}_混合參數_）	0.10Vto5.00V to9.99V	I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_D: 1%+ 100nA I_G: 1%+ 5nA
V_GSOFF	0.10Vto20V（80V）^（³^）	I_D:100nA（100pA）^（2） to3A V_DS:0.10V to 50V	5mV	1%+10mV

五、MOS場效應管 MOS-FET

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_DSSV_IGSSFI_GSSR V_GSFV_GSR	0.10Vto999V（kV）^（1） 0.10V to20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VDSS	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nAto50mA	5mV	1%+100mV
V_GSTH	0.10Vto49.9V	I_D:100uAto3A	5mV	1%+ 10mV
V_DSONVF_（VSD） I_DONV_GSON G_FS（_混合參數_） R_DSON（_混合參數_）	V_DV_F: 0.10V to5.00V to9.99V V_GS:0.10Vto9.99V	I_F.I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G:100nAto10A	5mV	V:1%+10mV I_F.I_D:1%+100nA I_G:1%+5nA

六、三端電源穩壓器件REGULATOR

測試參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
Vo Input / Output Regulation （混合參數）	V_O:0.10Vto0V（50V）^（3） V_IN:0.10Vto49.9V 負載：電阻或電流型	I_O:1mA - 5A	1mV	1%+10 mV
I_IN	V_IN:0.10Vto20V（50V）^（3）負載：RGK 1kΩ、10kΩ 外接，開路，短路	I_IN:1mA - 3A	10nA	1%+5nA

七、光電耦合器 OPTO-COUPLER

電參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_COFF、I_CBO I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nAto3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_CEO, BV_ECO BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1600kV）^（1） 0.10Vto999V（2k0V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100μAto200mA to100mA to50mA 100nAto50 mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
C_TR （0.01to99,999） H_FE （1to99,999） V_F （Opto-Diode） V_CESATV_SAT	V_CE: 0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V V_F:0.10Vto9.99V	I_C:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_FI_B:100nAto10A	0.0001C_TR 0.01H_FE 5mV	V: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_F, I_B: 1%+5nA

八、單向可控硅整流器SCR

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_DRMI_RRM I_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
V_DRMV_RRM BV_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto50mA 100nA to 3A	5mV	1%+100mV 1%+ 10mV
V_TM	0.10Vto5.00V to 9.99V	10μAto49.9A（250A）^（4） to25.0A（125A）^（4）	5 mV	V_T: 1%+10mV I_T: 1%+100nA
I _GT V_GT	V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） VT:100mVto49.9V	I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT	5 mV 10nA	1%+10mV 1%+ 5nA
I_L	V_D:5Vto49.9V	I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω,30Ω,100Ω,EXT	nA	nA
I_H	V_D:5Vto49.9V	I_H:10uAto1.5A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL設置）	1uA	1%+2μA

九、絕緣柵晶體管IGBT

電參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_CES I_GESF I_GESR	0.10Vto999V（2000V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_CES	0.1Vto450V（900V）^（1） to700V（1400V）^（1） to800V（1600V）^（1）	100μAto200mA to100mA to50mA	5mV	1%＋100mV
V_GETH	0.10Vto20.0V（80V）^（3）	100nAto3A	5mV	1%+10mV
V_CESAT I_CON V_GEON V_F G_FS（_混合參數_）	V_CE: 0.10Vto5.00V to9.99V V_GEV_F: 0.10Vto9.99V	I_C:10μAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_GEI_F: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_C I_F: 1%+100nA I_GE: 1%+5nA

十、雙向可控硅TRIAC

參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_DRMI_RRM I_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to 3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
V_DRMV_RRM BV_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+ 10mV
V_TM	0.10Vto5.00V to9.99V	10μAto49.9A（400A）^（4） to25.0A（200A）^（4）	5 mV	VT: 1%+10mV IT:1%+100nA
I_GT V_GT	V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） V_T:100mVto49.9V	I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT	5 mV 10nA	1%+10mV 1%+ 5nA
I_L	V_D:5Vto49.9V	I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT	N/A	N/A
I_H	V_D:5Vto49.9V	I_H:10uAto1.5A I_GT: 100nA to 3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL設置）	1uA	1%+2μA

十一、達林頓陣列DARLINTON

電參數名稱	電壓范圍	電流范圍	分辨率	精度
I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1）
BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脈沖） BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
H_FE （1to99,999）	V_CE:0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V	I_C:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B: 100nAto10A	0.01hFE	V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA
V_CESAT,V_BESAT V_{BE（VBEON）}	V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V	I_E:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A （125A）^（4） I_B: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_E:1%+100nA I_B:1%+5nA

（1）需要2KV陽極/集電極選件。

（2）需要小電流測試臺選件，可以提供需要的測試延遲時間為：1ms—99s。

（3）需要80V低源柵/基極選件。

（4）需要1.2KA大電流測試臺選件。

（5）充許有電纜壓降。

（6）表中部分器件測試需要定制專門的測試夾具。

關鍵詞：穩壓器光電耦合器整流器

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