晶體管正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X
晶體管正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X
基礎信息
Si,SiC,GaN,材料的器件級和模塊級的IGBT,MOS-FET的
FBSOA（正向偏置安全工作區）測試
FBSOA和對應的IV曲線
ICE電流0~1000A
VCE電壓0~100V。
VGE驅動電壓0~30V
VMNF熱敏電壓≤5V
Pmax功率100KW.
脈寬10us~10ms，
柜式結構，氣動安全（支持手動式）工裝柜，計算機程控
晶體管正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X
FBSOA定義
? 該圖是簡版FBSOA曲線，劃定了四條電壓-電流關系的邊界線，分別是AB段，BC段，CD段，DE段。
? AB段規定了處于飽和導通狀態下IGBT的工作電流，這個電流與IGBT的門極驅動電壓幅值相關，從圖看出，IGBT 門極驅動電壓幅值越高，飽和導通狀態下的工作電流越大.
? BC段是IGBT可重復電流ICpuls，是4倍標稱電流.
? CD段需結合IGBT瞬態熱阻看。IGBT有線性區和飽和區。
? 跨AB段后，其IGBT處于線性區了，也就退出飽和導通區， IGBT損耗急劇上升。所以，這條邊界體現IGBT能承受耗散功率Ptot。且CE電壓越高，IGBT所能承電流脈沖幅值越低。另外，電流脈寬越大，IGBT所能承受電流幅值也越低。
? 藍色CD段各種脈沖寬度下的SOA，均是單脈沖安全工作區，非連續工作情況下的工作區，所以，必須參考上一頁的右下角的IGBT瞬態熱阻曲線，由公式（1）計算出在VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬。
? DE段規定了IGBT集射極CE擊穿電壓，IGBTCE擊穿電壓是和結溫正相關，結溫越低，CE擊穿電壓也越低。
晶體管正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X
產品特點
u測試規范：國際標準IEC60747-9、IEC60747-2、國家標準GB/T29332、GB/T4023
u測試工裝有“手動式”“氣動式”“電子開關式”供選擇，不同封裝外觀，更換“DUT適配器”即可
u高溫測試，支持室溫~200℃，±1℃@0.5℃
u計算機程控，測試數據可存儲為Excel、PDF。內置多種通用文檔模板供用戶選擇，還可自定義
u安全穩定（PLC對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖）設備具有安全工作保護功能
u智能化，計算機進行操控及數據編輯，測試結果自動保存及上傳局域網，支持MES系統和掃碼槍連接
u安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數據及樣品安全
u電壓源電流源模塊化設計，根據需求，自選搭配
晶體管正向偏置安全工作區測試系統ST-FBSOA_X
