產品概述
增強的fA分辨率及pA精度的低電流性能； 高達 1A 的標配電流輸出，同時提供多種電流放大器選項2A-20A； 2µs時間分辨率，確保快速數據采集及掃描速度； 附加的電流及電壓模擬濾噪功能，提供更杰出性噪比的測量； 內建FRA頻響分析儀（可選），支持電化學阻抗測試，頻率范圍10μHz－1M Hz； 標配 VersaStudio 軟件；
產品介紹
| VersaSTAT 4 電化學工作站建立在VersaSTAT 3電化學工作站的全新杰出設計之上，提供您更加高速，靈活和高精度的性能，滿足您一系列的高級電化學應用。標準電流增強為1A，同時提供20A的電流放大器選項，使得你的研究從初期的的電池研發，燃料電池研究，到最終成品電池的充放電實驗都能在此臺儀器上實現，同時也面對下一代新型電池研究的挑戰。 fA分辨率及pA精度的低電流設計，使得低電流應用研究成為可能，例如傳感器，腐蝕，抑制劑，以及結合可選的FRA進行涂層技術研究。附加的模擬濾噪，給電流測試添加帶寬濾波，給電容性電解池增加穩定性，使VersaSTAT 4成為腐蝕應用研究的更加選擇。VersaSTAT 4 以其在VersaSTAT系列中最杰出的性能，滿足您各種研究應用需求。
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| 數據采集 | |
| 數據采集 | 3 x 16 bit 500k 樣品/秒 數模轉換 |
| 時間分辨率 | 2µs (500k 樣品/秒) |
| 自動噪音濾波 | 可用 |
| 功率放大器 | |
| 輸出電壓 | ±12V |
| 輸出電流 | ±1A (標配) |
| 恒電位帶寬 | 1 MHz |
| 穩定性設定 | 高速/高穩定性 (可根據具體試驗設置) |
| 切換速度 | >8V/µs |
| 上升時間 (-1.0V to +1.0V) | <350 ns |
| 電位控制 (恒電位模式) | |
| 施加電位范圍 | ±10V |
| 施加電位分辨率 | for ±10mV signal = 300nV for ±100mV signal = 3µV for ±1V signal = 30µV for ±10V signal = 300µV |
| 施加電位精度 | ±0.2% of value ±2mV |
| 掃速 | 5000 Vs-1 (50 mV step) |
| 掃速范圍及精度 | ±10V / 300µV |
| 電流控制 (恒電流模式) | |
| 施加電流范圍 | ±1A (標配), ±2A (內置選配) |
| 施加電流分辨率 | ±1/32,000 x 全量程 |
| 施加電流精度 | ±0.2% of reading, ±0.2% of range |
| 電流量程/分辨率 | ±1A / 60µA |
| 最小電流量程/分辨率 | ±4nA / 120fA |
| 差分靜電計 | |
| 輸入范圍 | ±10V |
| 帶寬 | ≥10MHz (3dB) |
| 輸入阻抗 | ≥1012 Ω in parallel with ≤5pF (typical) |
| 漏電流 | ≤5pA at less than 25°C |
| CMRR | 60 dB at 100kHz (typical) |
| 電位測量 | |
| 電位測量范圍 | ±10V |
| 最小電位分辨率 | 6µV |
| 電位精度 | ±0.2% of reading ±2mV |
| 電流測量 | |
| 電流測量范圍 | 自動量程 (10 量程) 1A to 4 nA (8 量程) 2A to 4nA (內置選配) |
| 電流分辨率 | 120fA (4nA 量程) |
| 電流精度 (DC) | 20nA to 2A: ±0.2% of reading, ±0.2% of range 4nA: <0.5% ±20pA |
| 帶寬 | 1MHz (signal ≥2mA range typical) |
| 帶寬噪聲濾波功能 | 有, 5檔 |
| 阻抗模塊 (EIS) 選件 | |
| 模式 | 電位控制/電流控制 |
| 頻率范圍 | 10µHz to 1MHz |
| 最小交流電壓幅值 | 0.1mV RMS |
| 掃描方式 | 線性 or 對數 |
| iR 補償 | |
| 正反饋 | 有 |
| 動態 iR 補償 | 有 |
| 接口 (標配) | |
| 數字輸入/數字輸出 | 5 TTL logic 輸出, 2 TTL logic 輸入 |
| 輔助電壓輸入 | 同步測量電壓及電流; ±10V 范圍, 輸入阻抗10kΩ; Filter: off, 1kHz, 200kHz; BNC connector |
| 數模轉換 電壓輸出 (標配) | ±10V 范圍, 輸出阻抗1kΩ; BNC connector (用于攪拌器，旋轉盤電極等) |
| 計算機 / 軟件 | |
| 通訊接口 | USB模式 |
| 操作系統 | Windows XP Professional (preferred) or Windows 2000 / VISTA / Windows 7 |
| PC 配置 (至少需求) | Pentium 4 (1GHz) / 1GB memory 高數據采集需要大內存 |
| 軟件 | VersaStudio |
| 常規 | |
| 電壓 | 250VA Max. Voltage range 90Vac to 250Vac, 50-60Hz |
| 尺寸（長X寬X高） | 16¼” x 15¼” x 3½” 421 x 387 x 89mm |
| 重量 | 10lbs, 4.5kgs |
| 使用環境溫度 | 10°C to 50°C |
| 濕度 | Maximum 80% non-condensing |
| 理想溫度 | 25°C |
| Dummy Cell 模擬電解池 | 內置 (DC only) |
| CE 認證 | 通過 |
| 2A 大電流選項 | 型號 |
| ±2A 大電流選項，支持化學電池、燃料電池及電鍍應用 | 2A/VersaSTAT4 |
| FRA 頻率響應選項 | |
| 內置頻率響應選項，滿足電化學阻抗分析，頻率范圍10µHz to 1MHz | FRA/VersaSTAT4 |
| 高級混合輸入接口Advanced Auxiliary Interface | |
| 此 AAI 選項，允許附加一個帶有4個A/D轉換輸入接口，使得Versastudio software 通過VersaSTAT主機獲得更多記錄數據。 | AAI/VersaSTAT4 |
| 電流放大器 | |
| 在電流放大及通常操作模式之間轉換，僅需簡單的電纜連接。 | 8A/VersaSTAT4 10A/VersaSTAT4 20A/VersaSTAT4 |
| 電化學池選件 | |
| Corrosion Cell Kit 腐蝕電解池 | K0047 |
| Corrosion Flat Cell 平板電解池 | K0235 |
| Micro-Cell Kit 微電解池 | K0264 |
| Analytical Cell Kit 分析電解池 | RDE0018 |
| Tait Cell 涂層評價池 | K0307 |
| 輔助附件 | |
| 滴汞儀附件 | 303A |
| model 303A 滴汞儀附件接口 | 507 |
| 石英晶體微天平 | QCM922 |
| 旋轉盤電極 | 616 |
| 旋轉環盤電極 | 636 |
| VersaStudio 軟件 四種不同功能的 VersaStudio software造就四種VersaSTAT電化學綜合測試系統:
的V3－Studio軟件支持全系列V3電化學工作站，包括大電流擴展和電流放大設備。各種系統綜合性的軟硬件結合，使V3－Studio可以致力于各個領域中的研究，并且通過不同的預算不斷升級。 軟件提供全面、廣泛的電化學測試方法，它不但功能強大，而且便于新手學習使用。
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| 開路電位 | 方波伏安 | 控制電位阻抗 |
| 線性掃描 | 差分脈沖伏安 | 控制電流阻抗 |
| 循環伏安 (單次) | 常規脈沖伏安 | Loop循環實驗 |
| 循環伏安 (多次循環) | 反相常規脈沖伏安 | 延時功能 |
| 階梯線性掃描 | 零阻計（電化學噪聲） | 信息提示功能 |
| 階梯循環伏安 (單次) | 電偶腐蝕 | 開路電位測試功能 |
| 階梯循環伏安 (多次) | 循環極化 | 輔助輸入界面 |
| 計時電流 | 線性極化 | 外部應用觸發 |
| 計時電位 | Tafel塔菲爾曲線 | DAC 輸出控制 |
| 計時電量 | 恒電位 | 電極表面預處理 |
| 快速電位脈沖 | 動電位 | 預沉積 |
| 快速電量脈沖 | 恒電流 | 系統平衡 |
| 周期電位脈沖 | 動電流 | 系統凈化 |
| 周期電量脈沖 | 動態 iR | iR補償測量 |
