科研型原子層沉積系統ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術,具有的熱壁設計和單獨的入口，可實現無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。
科研型原子層沉積系統具有專有的Picoflow™技術，即使在挑戰性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強大且易于更換的液態，氣態和固態化學物質前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統集成，無論您現在的研究領域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領域，都可以進行高效，靈活的研究，并獲得良好的結果。
科研型原子層沉積系統ALD適用于數十種應用的研發，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫療植入物。熱ALD研究工具的市場領dao者。它已成為創新驅動的公司和研究機構的shou選工具。
科研型原子層沉積系統ALD技術指標
應用領域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。
科研型原子層沉積系統具有專有的Picoflow™技術，即使在挑戰性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強大且易于更換的液態，氣態和固態化學物質前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統集成，無論您現在的研究領域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領域，都可以進行高效，靈活的研究，并獲得良好的結果。
科研型原子層沉積系統ALD適用于數十種應用的研發，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫療植入物。熱ALD研究工具的市場領dao者。它已成為創新驅動的公司和研究機構的shou選工具。
科研型原子層沉積系統ALD技術指標
| 襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
| zui大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據工藝） | |
| 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
| 3D 復雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳） | |
| 粉末與顆粒（配備擴散增強器） | |
| 多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 | |
| 工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C） |
| 基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載） |
| 預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ） | |
| 前驅體 | 液態、固態、氣態、臭氧源 |
| 4根du立源管線，zui多加載6個前驅體源 | |
| 對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar)，用氮氣等載氣dao入前驅體瓶內引出 | |
| 重量 | 350kg |
| 尺寸（ W x H x D)） | 取決于選件 |
| zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
| zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
| 選件 | PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集 |
| 成（用于惰性氣體下裝載）。 | |
| 驗收標準 | 標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
應用領域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。
| 材料 | 非均勻性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13% |
| SiO2 (batch) | 0.77% |
| TiO2 | 0.28% |
| HfO2 | 0.47% |
| ZnO | 0.94% |
| Ta2O5 | 1.00% |
| TiN | 1.10% |
| CeO2 | 1.52% |
| Pt | 3.41% |
