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化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程，廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無機(jī)薄膜的制備。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射頻使氣體電離產(chǎn)生局部等離子體，等離子體活性可有效促進(jìn)反應(yīng)，從而降低反應(yīng)溫度，加快成膜速率。
技術(shù)參數(shù)：
1 基片尺寸可定制；
2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；
3 多層式工藝氣體導(dǎo)入，氣體分布均勻；
4 獨(dú)立MFC控制箱，可靈活擴(kuò)充工藝氣路；
5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；
6 可與手套箱集成；
| 產(chǎn)品名稱 | 參考價(jià) | 地區(qū) | 公司名稱 | 更新時(shí)間 | |
|---|---|---|---|---|---|
| R-200 Advance 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| R-200 Standard 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| P-300B 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-10 | 在線詢價(jià) |
| 芬蘭Picosun原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 廣州市 | 廣州納儀科技有限公司 | 2024-05-12 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-19 | 在線詢價(jià) |
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