功率半導體的廣泛使用迫切需要對功率器件進行快速而有效的特性描述。Cascade Microtech 的新型 Tesla 晶圓上功率器件特性描述系統滿足了這一需求,從而縮短了新型功率器件的面市時間。Tesla 是業界功率器件測量系統,它提供了一款用于在高達 400A的電流和 3000V 的電壓條件下進行功率半導體的過熱、低接觸電阻測量的完整晶圓上解決方案。該新系統采用了兩款新型晶圓探針和一種全新的晶圓吸盤技術。
高電流參數()探針專為滿足 Rds(on) 測量要求而設計。*的設計限度地抑制了探針至晶圓觸點上的熱失控,并支持高達 10A(在連續模式中)和高達 60A(在脈動模式中)的電流。
高電壓參數()探針在高達 3000V 的電壓條件下實現了漏電流低至 1pA 的擊穿電壓測量。
Exclusive Vacuchannel™ 吸盤技術運用針對薄晶圓(薄至 100μm)的*傳送方法滿足了當今功率器件晶圓的需要。此外,Vacuchannel 技術傳送功率耗散器件的方式也不同于市面上現有的其他解決方案,實現了功耗高達 75W 的器件的晶圓上測量。