AD-230LP是一種原子層沉積(ALD)系統,能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室,僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統具有負載鎖定室,且不向大氣開放反應室,因此能夠實現薄膜沉積的優良再現性。
主要特點和優點
可以在原子層水平上實現均勻的層控制。
可實現高縱橫比結構的共形沉積。
具有優良的平面內均勻性和再現性,實現了穩定的工藝。
采用*的反應室結構,優化了原料的氣路和氣體流,抑制了粒子。
通過采用電容耦合等離子體(CCP)系統,使反應室體積最小化,縮短了氣體吹掃時間,加快了一個循環的速度。
應用
氮化膜(AlN、SiN)的形成和低溫形成的氧化膜(AlOx、SiO2)。
電子設備的閘門絕緣子
半導體、有機EL等的鈍化膜。
半導體激光器的反射面
在MEMS等3D結構上的沉積
石墨烯上的沉積
碳納米管保護膜粉末涂層