JEM-3200FS場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡配備了加速電壓為300kV的場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)‵EG）和鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過(guò)濾器，能為廣泛的研究領(lǐng)域提供各種全新的解決方案。
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過(guò)濾器(omega 過(guò)濾器)
鏡筒內(nèi)置式Ω型能量過(guò)濾器內(nèi)置于成像透鏡系統(tǒng)，能容易地獲得能量過(guò)濾像和能量損失譜，同時(shí)還能獲得與傳統(tǒng)電子顯微鏡同等的放大倍率范圍。此外、Ω型過(guò)濾器的電子光學(xué)系統(tǒng)在設(shè)計(jì)上地減少了圖像畸變，出廠前還將剩余一點(diǎn)的畸變做了最后的修正。JEM-3200FS還采用了高靈敏度的相機(jī)系統(tǒng)及圖像處理系統(tǒng)（選配件），可以構(gòu)建元素面分布系統(tǒng)及能量損失譜系統(tǒng)。
新型控制系統(tǒng)
電子槍、電子光學(xué)系統(tǒng)、測(cè)角臺(tái)、抽真空系統(tǒng)等電子顯微鏡基本功能的系統(tǒng)化，實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定、高性能的控制系統(tǒng)。圖像畫(huà)面和用戶(hù)界面采用Windows ®*1，可以進(jìn)行編程操作和附件的集中控制。
新型測(cè)角臺(tái)
系統(tǒng)化的新型測(cè)角臺(tái)內(nèi)置壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使高倍率下的樣品移動(dòng)更加精確。
*1 : 注意事項(xiàng)：Windows是微軟公司在美國(guó)和其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo)。
*2 : 僅有壓電元件包括在基本單元中，壓電元件的電源為選配件。
物鏡極靴*1 | 超高分辨UHR | 高分辨率HR | 高傾斜HT | 高襯度HC |
分辨率 | ||||
點(diǎn)分辨率 | 0.17nm | 0.19nm | 0.21nm | 0.26nm |
能量分辨率 | 0.9 eV（零損失FWHM） | |||
加速電壓 | 300kV，200kV,100kV*2 | |||
最小步長(zhǎng) | 100V | |||
電子槍 | ||||
發(fā)射體 | ZrO/W(100) 肖特基式 | |||
亮度 | ≧7×108 A/cm2 ? sr | |||
真空度 | 3×10-8Pa | |||
探針電流 | 探針直徑為1nm時(shí)，電流在0.5nA以上 | |||
穩(wěn)定度 | ||||
加速電壓 | 2×10-6/min | |||
物鏡電流 | 1×10-6/min | |||
過(guò)濾器透鏡電流 | 1×10-6/min | |||
物鏡 | ||||
焦距 | 2.7 mm | 3.0 mm | 3.5 mm | 3.9 mm |
球差系數(shù) | 0.6 mm | 1.1 mm | 1.4 mm | 3.2 mm |
色差系數(shù) | 1.5 mm | 1.8 mm | 2.2 mm | 3.0 mm |
最小焦距步長(zhǎng) | 1.0 nm | 1.4 nm | 1.5 nm | 4.1 nm |
束斑尺寸 | ||||
TEM 模式 | 2 ～ 5 nmφ | 2 ～ 5 nmφ | 7 ～ 30 nmφ | |
EDS 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | 4 ～ 20 nmφ | |
NBD 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | - | |
CBD 模式 | 0.4 ～ 1.6 nmφ | 0.5 ～ 2.4 nmφ | - | |
電子束衍射 | ||||
衍射角(2α) | 1.5 t～ 20 mrad | - | ||
取出角 | ±10 ° | - | ||
倍率 | ||||
MAG 模式 | ×2,500 ～ 1,500,000 | ×2,000 ～ 1,200,000 | ×1,500 ～ 1,200,000 | |
LOW MAG 模式 | ×100 ～ 3,000 | |||
SA MAG 模式 | ×8,000 ～ 600,000 | ×6,000 ～ 500,000 | ×5,000 ～ 500,000 | |
視野 | 10eV時(shí)狹縫寬度60mm(底片上) | |||
相機(jī)長(zhǎng)度 | ||||
選區(qū)電子衍射 | 200 ～ 2,000 mm | 250 ～ 2,500 mm | 400 ～ 3,000 mm | |
EELS 散射 | ||||
能量選擇 | 0.85 μm/eV , 300 kV | |||
底片上 | 100 ～ 220 μm/eV , 300kV | |||
樣品室 | ||||
樣品移動(dòng)范圍 (XY/Z) | 2mm/0.2mm | 2mm/0.4mm | 2mm/0.4mm | 2mm/0.4mm |
樣品傾斜角 (X/Y) | ±25°/±25°*3 | ±35°/±30°*3 | ±42°/±30°*3 | ±38°/±30°*3 |
EDS*4 | ||||
固體角 | 0.13 sr | 0.09 sr | ||
取出角 | 25° | 20° | ||
