測試功能 | |||||
測試器件 | 測試功能 | ||||
IGBT | 瞬態阻抗(Thermal Impedance) 從開始加熱到結溫達到穩定這一過程中的瞬態阻抗數據。 | ||||
MOSFET | |||||
二極管 | 穩態熱阻(Thermal Resistance) 包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當器件在給一定的工作電流后。熱量不斷向外擴散，達到了熱平衡，得到的結果是穩態熱阻值。在沒有達到熱平衡之前測試到的是熱阻抗。 | ||||
三極管 | |||||
可控硅 | |||||
線形調壓器 | 裝片質量的分析 主要測試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導致芯片的溫度上升，因此這個功能夠衡量粘接工藝的穩定性。 | ||||
LED | |||||
MESFET | |||||
IC | 可以得到用不同占空比方波測試時的阻抗與熱阻值。 | ||||
| 內部封裝結構與其散熱能力的相關性分析 | ||||
| 多晶片器件的測試 | ||||
| SOA Test | ||||
| 浪涌測試 | ||||
配置 / 系統單元 | |||||
配置 | 組成單元 | ||||
項目 | 配置 | 主機 | 平臺軟件 | ||
功率 | 2A/10V | 采樣單元 | 測量控制軟件 | ||
測試延遲時間 （啟動時間） | 1us | 數控單元 | 結果分析軟件 | ||
采樣率 | 1us | 功率驅動單元 | 建模軟件 | ||
測試通道數 | 2（大 8 個） | 測試通道1-8個 |
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功率放大器 | 提高驅動能力10~100 倍 | 擴展選件 |
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電性規格 | 系統特征 | ||||
加熱 電流 測量 精度
| 低電流 測量 | 02A 系統: ±1mA 10A 系統: ±5mA 20A 系統: (±10mA) | ●測試啟動時間僅為 1 s，幾分鐘之內就 可以得到器件的全面熱特性； | ||
●*的靜態實時測量方法，采樣間隔快可達 1 s， 采樣點高達 65000 個，有效地保證了數據的準確性和完備性； | |||||
高電流 測量 | 02A 系統: ±4mA 10A 系統: ±20mA 20A 系統: (±40mA) | ||||
●市場上的靈敏度 FoM=10000 W/℃，很高的靈 敏度 SNR>4000， 結溫測試精度高達 0.01℃； | |||||
加熱電壓測量精度 | ±0.25% ， | ||||
0~50V 熱電偶 測量精度( T 型) | 典型 ±0.1°C , 大±0.3°C | ||||
●強大的測試軟件和數據分析軟件保證了后期擴展功能的提升。 | |||||
交流電壓 | 220VAC，5A，50/60Hz | ||||
電壓 | （標配）50V | ||||
電流 | （標配）20A （選配）200A,400A,800A,1000A |
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節溫感應電流 | 1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(標配) |
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測試原理
根據IEDEC靜態測量原理，改變器件輸入功率，使器件溫度發生變化，在達到熱平衡之前，ENR0620以1uS的高速采樣率實時記錄溫度隨著時間變化的瞬態響應曲線；在得到溫度響應后，根據R_thiA=T / P 計算穩態熱阻；將上述瞬態響應轉換為結構函數形式，方便用戶分析器件熱流傳導路徑上的各層結構。系統未采用“脈沖方法”。因為“脈沖方法”采用延時測量技術，限制了測量精度，且“脈沖方法”在測量瞬態溫度響應市應非實時記錄數據。而是通過人為構建脈沖加熱功率來模擬瞬態過程，測試結果的精確性無法保證。
