1746-P3
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測試結(jié)果
采用CSMC 公司的0.5 μm 標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝庫對電路進(jìn)行流片，表2 為仿真結(jié)果和實(shí)際測試結(jié)果比較（Cf=20 fF，C1=150 fF，C2=18 fF 信號輸入20~300 pA，積分時(shí)間20 μs）。
表2 仿真結(jié)果和實(shí)際測試結(jié)果比較
從表2 可以看出，實(shí)測結(jié)果略小于仿真結(jié)果，當(dāng)光信號為20 pA 時(shí)，測得電路噪聲電壓為8 mV，則SNR=10.8。
5 結(jié)論
本文設(shè)計(jì)了一種高增益低噪聲的探測器讀出電路，采用CTIA 與CDS 電路相結(jié)合，通過對CTIA 電路中積分電容的改進(jìn)，使電路在寬范圍內(nèi)對微弱信號讀出，并采用開關(guān)控制和CDS 電路來降低噪聲，使電路信噪比達(dá)到10，該電路對航空航天領(lǐng)域微光探測系統(tǒng)讀出電路的設(shè)計(jì)具有重要意義。
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