沖擊加速度傳感器電容式MEMS加速度計(jì)的工藝一般包括：表面工藝、體硅工藝、Liga工藝和SOI+drie工藝。對(duì)這些過(guò)程進(jìn)行了比較。

表面技術(shù)是在集成電路平面技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種微技術(shù)，它只進(jìn)行單面光刻。它利用不同材料在硅平面上的順序沉積和選擇性腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu)。主要包括犧牲層沉積、犧牲層刻蝕、結(jié)構(gòu)層沉積、結(jié)構(gòu)層刻蝕、犧牲層去除（釋放結(jié)構(gòu)）等。將結(jié)構(gòu)材料懸浮在基板上，形成各種形狀的二維或三維結(jié)構(gòu)。

沖擊加速度傳感器體硅工藝是指沿硅襯底厚度方向刻蝕硅襯底的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕。它是實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的一種重要方法。為了形成完整的微結(jié)構(gòu)，通常在加工的基礎(chǔ)上采用鍵合或鍵合技術(shù)，將硅鍵合技術(shù)與體硅加工方法相結(jié)合。硅的微結(jié)構(gòu)是通過(guò)多重掩模、單面或雙面光刻和各向異性蝕刻形成的，然后將相關(guān)零件精確對(duì)齊并粘合成一個(gè)整體。體硅加工工藝比硅表面加工工藝復(fù)雜，體積大，成本高。

沖擊加速度傳感器SO1+drie工藝是體硅工藝的延伸和發(fā)展。絕緣體上硅（SOI）是近年來(lái)發(fā)展迅速的單晶硅三維微結(jié)構(gòu)制備方法。幾乎所有利用SOI制作微結(jié)構(gòu)的方法都是利用dine（深層反應(yīng)離子刻蝕）對(duì)單晶硅進(jìn)行深度刻蝕。根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)和性能要求，可采用前結(jié)構(gòu)釋放和后結(jié)構(gòu)釋放。

硅振蕩加速度計(jì)，簡(jiǎn)稱SOA。當(dāng)弦的張力不同時(shí)，聲音的頻率也不同。諧振式加速度計(jì)的原理是相同的。振動(dòng)梁一端固定，另一端與質(zhì)量塊連接。當(dāng)振動(dòng)梁的軸方向有加速度時(shí)，梁將受到軸方向的力，梁中的張力將發(fā)生變化，其固有頻率也將隨之變化。如果對(duì)梁施加一定的激勵(lì)并檢測(cè)其響應(yīng)，則可測(cè)量其固有頻率和加速度。激勵(lì)的應(yīng)用和響應(yīng)的檢測(cè)通常通過(guò)梳齒機(jī)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

SOA的特點(diǎn)是通過(guò)改變2階系統(tǒng)本身的特性來(lái)反映加速度的變化，這與電容式、壓電式和光波導(dǎo)加速度計(jì)不同。