開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)是重要的電磁兼容測(cè)試場(chǎng)地，早期的CISPR標(biāo)準(zhǔn)要求一個(gè)設(shè)備或系統(tǒng)的輻射發(fā)射和射頻輻射抗擾度測(cè)試都必須在該場(chǎng)地內(nèi)進(jìn)行。由于30MHz～18GHz高頻和微波電磁場(chǎng)的發(fā)射與接收是以空間直射波與地面反射波在接收點(diǎn)相互迭加的理論為基礎(chǔ)的。場(chǎng)地不理想，必然帶來(lái)較大的測(cè)試誤差。因此，國(guó)內(nèi)外紛紛建造開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)。但隨著屏蔽和吸波材料與工藝的發(fā)展，現(xiàn)在越來(lái)越多的機(jī)構(gòu)采用受環(huán)境和氣候影響更小的的半電波暗室來(lái)取代開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)。

一個(gè)符合EMC測(cè)試要求的開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)，對(duì)其電磁波傳輸特性、氣候環(huán)境、占地面積、周圍反射體、地面條件、輔助建筑與配套設(shè)施都有一定的要求和限制。如圖3-1所示。

特別提示：開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)仍然有其的作用和意義

（1）開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)是大型EUT較為理想的測(cè)試場(chǎng)地。

（2）開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)是很多標(biāo)準(zhǔn)中作為*終判定測(cè)量結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試場(chǎng)地。

（3）開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)的造價(jià)普遍低于半電波暗室。

圖3-1 EMC測(cè)試用的開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)示意圖

特別提示：開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)也有其局限性

（1）容易受到環(huán)境氣候因素的影響，遇到大風(fēng)雨雪天氣、氣溫驟變等情況均不適合開(kāi)展測(cè)試活動(dòng)。

（2）在開(kāi)展射頻輻射抗擾度測(cè)試時(shí)，過(guò)大的場(chǎng)強(qiáng)會(huì)對(duì)外造成電磁環(huán)境干擾。

（3）隨著通訊技術(shù)的發(fā)展及大量電子設(shè)備的運(yùn)用，對(duì)已有開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)周圍電磁環(huán)境的“潔凈度”已經(jīng)很難控制。也很難尋找到適合新建開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)的電磁環(huán)境。