霍爾傳感器是利用半導體材料，它是根據霍爾效應制作的一種傳感器，這個霍爾其實是一個人名，他是一位美國的物理學家，他早在一百多年前的1879年就通過很多次實驗發現了在一個金屬薄片上通過一個恒定的電流，然后把這個薄片再放到磁場中，這時候他發現在金屬的另外兩側就會出現電壓，這個電壓是與磁場有關系的，當磁場強時，這個電壓就高，當磁場弱時，這個電壓就低，當時由于技術的限制，還沒有發現類似硅半導體這種材料，因此使用金屬來獲得的電壓都比較小，直到上個世紀40年代末，硅半導體的出現，霍爾效應才逐漸進入到實際應用領域。

　　霍爾電流傳感器后來人們為了紀念霍爾在這方面做出的貢獻，因此用他的名字來命名這種傳感器，現在人們大都采用半導體作為霍爾傳感器的材料，當我們給它通入電流時，在與電流和磁場都垂直的方向上就會產生電壓，我們把這種現象叫霍爾效應，我們把這種利用霍爾效應制作的傳感器稱為霍爾傳感器。

　　我們以半導體霍爾元件為例來說明它的工作過程，我們給半導體霍爾元件通入電流I，然后把這個半導體薄片放在以磁場強度為B的磁場中，這時半導體內的電子將受到一種磁力F的作用就會向內側移動，因此在內側就堆積了很多電子，隨著電子堆積的越來越多，此時就會形成一種電場，當電子既受到磁霍爾電流傳感器場力的作用，又受到電場力的作用，如果此時兩種力達到了一種平衡時，那么電子的堆積也就達到了一種動態平衡，這時候就建立起一種電壓，我們把這種電壓叫霍爾電動勢，一般用Eh表示，那么霍爾電動勢Eh可用Eh=KIB來表示，從這個式子可以看到，這個K是霍爾元件的靈敏度，這個I和B分別表示通入的電流和所在的磁場強度，因此我們知道，在通入電流一定的情況下，磁場強度越強，那么所感應的霍爾電動勢就越大。

　　在多種非接觸測量電流的方法中，基于霍爾原理測量電流是一種的方法，其原理是在聚磁環的氣隙中插入一個檢磁元件（霍爾元件），有外霍爾電流傳感器界磁場時，通過聚磁環，霍爾元件可感測到磁場，并產生電壓，該電壓稱為霍爾電壓，可用于直接輸出或者反饋控制，由此結構可知，被測電流的電纜，靠近霍爾元件或原理霍爾元件的時候，會產生比較明顯的磁場變化，從而導致位置誤差的產生。

　　為了減小這種誤差，通常可以采用多霍爾多氣息對稱排布的方法解決，但不管采用怎樣的方式，都無法從根本上消除位置誤差，因為霍爾元件的數量不能無限增多，這也就是霍爾傳感器的使用說明中通常會要求用戶在測量電流時，將被測電流排（電纜）盡量居中在穿孔部位的原因，有時為了杜絕位置誤差的影響，可以采用內置電流排的方式。

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