如何為CVD設備選型？

CVD是化學氣相沉積的簡稱，是半導體工業中應用廣泛的用來沉積多種材料的技術，理論上即：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統（提供多種氣體混合）+真空系統（提供實驗環境）。

化學氣相沉積（CVD）設備的靈活度很高，客戶可根據自己實驗要求選擇合適的產品來組合，或者直接選擇CVD套裝。

一．高溫爐選擇一般是管式爐：高溫爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度

1、如何選擇管式爐？查看管式爐產品。

二、供氣系統選擇：

供氣系統即混氣裝置，它可以實現2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中

本公司根據流量計的不同分為2類

1.氣體流量計：

浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。

質量流量計：氣體通過D07質量流量計精確控制進氣量。

2、氣液混合流量計：

用于液體高溫氣化后導入CVD系統的設備，有建議版和精確控制版本兩種可選。查看供氣系統。

三、真空系統選擇：

真空系統為CVD實驗提供實驗的真空環境，將管式爐中的空氣抽走，達到真空的環境?？蛻舾鶕约簩嶒炈枵婵斩却笮〖皩嶒炈枨鍧嵆潭葋磉x擇合適的真空裝置。

本公司根據真空泵的不同分為2類：

（1）低真空系統。采用雙級真空泵，標配電阻規真空計；

（2）高真空系統。采用進口分子泵，自帶真空計或者采用國產分子泵，自帶真空計；

（3）另，若經費有限，客戶也可以只購買單獨的真空泵、真空計和真空泵連接配件來實現抽真空的步驟。