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電容屏(TP)黃光制程以及設備全解析

來源:深圳市芯云顯控技術有限公司   2021年08月12日 11:06  




今天我們來說一下黃光制成,黃光制成能力大于激光能力的,也就是說黃光制成能把線做的很細。


我們先來看一下黃光制成的工藝


我們從上面的工藝一步步來講解


1、PR 前清洗


     ITOGLASS 清洗指用物理的方法(磨刷噴洗)和化學的方法(去離子水 DI 水和 KOH)將玻璃表面的臟污和油污、雜質除去并干燥的過程。


2、PR 涂佈指在玻璃的導電層表面均勻涂上一層光刻膠。


3、前烘指在一定溫度下將涂有光刻膠的玻璃烘一段時間、使光刻膠的溶劑揮發,形成固體的PR層。


4、曝光


      指用紫外線通過預先設置好的菲林垂直照射光刻膠表面,使被照射部分的光刻膠發生反應。


5、顯影


指用弱 KOH 溶液去離玻璃表面將徑光照射部分的光刻膠除去,保留未照射部分的光刻膠。


6、堅膜指將玻璃在徑一次高溫處理,使光刻膠膜更加堅固。


7、蝕刻指用適當的酸液將無光刻膠覆蓋的 ITO 層除去,這樣就得到了我們所需要的 ITO電極圖形。


8、脫膜指用較強的 KOH 剝膜液將殘留光刻膠除去,將玻璃表面清洗干燥。





1. PR 前清洗


A. 清洗:指清除吸附在玻璃表面的各種有害雜質或油污。


清洗方法是利用各種化學濃劑(KOH)和有機濃劑與吸附在玻璃表面上的雜質及油污發生化學反應和濃解作用,或以磨刷噴洗等物理措施,使雜質從玻璃表面脫落,然后用大量的去離子水(DI 水)沖洗,從而獲得潔凈的玻璃表面。(風切是關鍵)


B. 干燥:因經過清洗后的玻璃,表面沾有水或有機濃劑等清洗液。這樣會對后續工序造成不良影響,特別是對后續光刻工藝會產生浮膠、鉆蝕、圖形不清晰等不良現象。因此,清洗后的玻璃必須經過干燥處理。


目前常采用的方法是烘干法,而是利用高溫烘烤,使玻璃表面的水分氣化變為水蒸氣而除去的過程,此方法省時又省力。但是如果水的純度不變,空氣凈化等不多或干燥機溫度不夠,玻璃表面殘存的水分 雖經氣化為蒸氣,但在玻璃表面還會留下水珠,這種水珠將直接影響后續工序的產品質量。


C. 十槽清洗機,PR 清洗機制程參數之設定 :


1---3 槽 KOH 溶液為 0.4~0.7N,溫度為 60±5℃,浸泡時間為 2~3min/槽


純水溢流量為 0.5±0.2 ㎡/n.


KOH 溶度為 1.0N~1.6N,溫度為 40±5℃,噴洗壓為 0.2~1.0kgf/c ㎡,傳動速度為 3.0~4.5m/min,磨刷轉速為 85~95rpm,壓力為 0.2~1.0kg/c ㎡,純水溫度為 40±5 ℃,干燥機 1.2.3 段溫度為 110℃±10℃。


注:玻璃清洗潔凈度不夠之改改善對策,適當加入少許 KOH 溶液,改變 KOH,溶液,經常擦拭風切口,噴洗等處,亦可調態清洗機傳動 速度,將傳速度減慢。


2. PR 涂佈


光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合,綜合性的精密表面加工技術。光刻的目的就是按照產品設計要求,在導電玻璃上覆感光膠。


A. 光刻膠的配制


光刻膠的性能與光刻膠的配比有關。配比的選擇原則是即要光刻膠是有良好的抗蝕能力,又要有較高的分辨率。但兩者往往是相互矛盾的,不能同時達到。因此,必須根據不同的光刻對象和要求,選取不同的配比。


光刻膠的配制應在暗室(潔凈度較高的房間)中進行。用量筒按配方比例將原膠及溶劑分別量好,再將溶劑倒入原膠,用玻璃棒充分攪拌使之均勻混合,通常剛配制好的光刻膠中必然還存在少量因態物質微粒未能*溶解,為把這部分未能溶解的固態物質微粒濾除,我們一般采用自然沉淀法進行過濾。


B. 涂膠


為保證 ITO 層與光刻膠之間有良好的接觸和粘附,清洗后的玻璃應立即送光刻工序進行涂膠。如果玻璃擱置較久或者光刻返工,必須重洗在涂膠。


涂膠要求,粘附良好,均勻厚薄適當。若膠膜太薄,針孔較多,則抗蝕能力差,膠膜太厚,則分辨率低。


涂膠方法采用旋轉及車混涂法。為保證膠膜質量,涂膠應在潔凈無塵操作箱


內進行。涂膠機內溫度應保持在 20℃~25℃范圍內,相對溫度低于 60%,涂膠要在黃燈照射條件下進行,以防止光刻膠露光失效。


C. 前烘


前烘的方法是在恒溫干燥箱中烘烤,具體條件視膠的種類和性質而定影響前烘質量的主要因素是溫度和時間,烘烤不足(溫度過低或時間太短)


在膠膜與 ITO 交界面處,膠中的溶劑未充分揮發,曝光后形成浮膠或使圖形變形。烘烤過頭(溫度太高或時間太長),會導致膠膜翹曲硬化,形成不易溶于顯影液中的薄膜而留下來,顯影不干凈或膠面發皺,發黑,失去抗蝕能力。


D.PR 涂膠機機臺參數之設定


滾輪傳速與涂布輪傳速為 218±5 轉 1 分,干燥機傳速為 4.0±2m/min


光刻膠米方度為 30±2mpa.s,光刻膠壓入量為 0.5±0.1mm.(光刻膠只能四收 5 次使用)光阻劑:稀釋劑=10:1(依粘度測試情況而定).注:涂布不良(涂布氣泡、涂布不均勻)之改善對策,調態涂膠滴管內光刻膠滴入量。


3. 曝光


目前曝光方法采用接觸式曝光,因此方法所用設備簡單,操作方便,它包括“定位”和“曝光兩個步聚。定位對光刻精度影響很大,是光刻中十分重要的一環,要認真對準。


一般操作程序是:光預熱紫外光(UV)燈,待光源穩定后,把菲林安裝在支架上;將涂有光刻膠的 ITO 玻璃放在平臺上,膠面朝上,將光刻菲林支架放下,仔細調態平臺微動裝置,使菲林上定位標志與平臺上玻璃的定位準確套合。定位完成即可曝光,曝光后經過顯影并檢查定位是否正確。


曝光時間由光源到 ITO 玻璃的距離,光源強弱,光刻膠的感光性能及菲林、玻璃厚薄等因素決定


如曝光時間過短,光刻膠感光不足,則其光化學反應不充分 ,光刻膠的抗蝕性能就會降低,顯影時部分溶解,此時在投影機下可觀察到膠膜發黑;


若曝光時間太長,會使光刻膠本不該感光部分的邊緣被微弱感光,即產生“暈光”現象,蝕刻后邊原模糊或發現皺紋,使分辨率降低。


為了保證曝光質量,在操作中要注意以下幾點;


(1) 定位必須嚴格套準


(2) 菲林必須平整地貼在玻璃上,不能有空隙。若存在空隙,則不該曝光的地


方會受到光的照射,使圖形產生畸變;(3) 曝光操作中,應注意動作要輕,保護好菲林不致劃傷;(4) 曝光時間必須準確控制。


曝光治具有菲林、干版、絡版曝光工藝參數之設定:


(1) 光量為 100-140mj/c ㎡,曝光時間為 6.8-8.5s,曝光柄位之標準公差±


0.2mm,曝光機內紫外光被為 380-780 納米。


4. 顯影


顯影的目的是將未感光部分的光刻膠溶除,留下感光部分膠膜,從而顯現


出所需要的圖行。


顯影必須*,以使圖形邊緣整齊。顯影需嚴格控制好顯影時間。若顯影時間不足,則在未感光處留下一層不易察覺的光刻膠層,在蝕刻 ITO 層之間,它起了祖蝕作用,而隨意蝕刻液對這一博層膠膜的穿透和破壞,使這一博層的 ITO 層蝕刻不*,形成斑紋或小島。此外,顯影不足還會使膠膜邊緣出現厚度不均的過夜區,造成邊緣毛刺,圖形模糊,影響光刻質量。若顯影時間過長,由于顯影時光刻膠發生軟化、膨脹,顯影液從 ITO 層表面向圖形邊緣滲入,發生粘溶,使圖形邊緣變形。有的甚至會出現浮膠現象,ITO 表面的膠膜皺起呈橘皮狀,嚴重的甚至大片剝落形成脫膠。


為了保證顯影質量,必須嚴格控制顯影顯影時間并及時更換顯影液。顯影后玻璃一般應檢查一下幾個方面:


(1) 圖形定位是否準確;(2)圖形邊緣是否整齊;


(3)有無皺膠和膠發黑;(4)有無浮膠;


(5)有無膠面及 ITO 層的劃傷;(6)顯影漂洗是否干凈等;


顯影機工藝參數之設定:


KOH 溶度為 0.1-0.18N,溫度為 30±2℃,壓力為≦0.2kg/c ㎡,傳速為 4.5± 1.5m/min,噴洗壓力為 0.1-0.5 kg/c ㎡。


5. 堅膜


由于顯影時膠膜發生軟化、膨脹,影響膠膜抗蝕能力,,因此在顯影后必須以適當溫度烘干玻璃,以去除顯影夜和水份,使膠膜堅固。堅膜可以使膠膜與 ITO 層之間貼得更牢,同時也增強了膠膜本身的抗蝕 能力。


堅膜的溫度和時間要適當選擇,若堅膜不足,則因膠膜沒有烘透,不夠堅固,在蝕刻時發生浮膠或嚴重測蝕等。若堅膜過度,則使膠膜因熱膨脹會產生翹曲和剝落,當蝕刻時會發生鉆蝕或浮膠。


堅膜最好采用緩慢升溫和自然冷卻法,這樣可使膠膜更堅固,防止因膠的細小裂紋而出現毛刺現象。 


6. 蝕刻


蝕刻所選用的酸夜必須能腐蝕掉裸露的 ITO 層,又不損傷玻璃表面的光刻膠層。另外,還要求酸夜毒性小,使用方便。(酸夜為 HCL+HNO3 的混合物)。


蝕刻溫度對蝕刻效果影響很大,溫度太低,則蝕刻時間要長,易產生浮膠;溫度太高,則蝕刻酸夜太活潑,也較易產生脫膠或鉆蝕現象。


光刻質量要求和分析


(1)光刻質量要求


因光刻質量的好壞直接影響到產品性能,成品率和可靠性,所以把好光刻工藝的質量關是十分重要的。


蝕刻的圖形完整,尺寸準確,邊緣整齊,線條陡直;圖形內無小島、針孔、毛刺等,蝕刻干凈;蝕刻后的玻璃表面清潔,不發光,沒有殘留的被蝕刻夜;圖形定位準確;


(2) 光刻質量分析


要達到好上所示的質量,必須對光刻過程中存在的各種缺陷和弊病進行分析和研究,找出原因,才有可能克服這些缺陷和弊病。


A.顯影時產生浮膠的原因一般有:


涂膠前玻璃表面不潔凈,表面有油污,水汽等,或玻璃清洗后在空氣中放置時間過長,空氣中的水汽附在玻璃表面上;或者涂膠膜操作環境濕度太大,使膠與玻璃表面粘附不良。因此,必須注意做好玻璃表面潔凈處理和操作環境的


溫濕度及清潔工作。


光刻膠配制有誤膠陳舊不純,膠的光化學反映性能不好,使膠與 ITO 層結合能力差;或者膠膜不均勻和過厚,引起粘附不良。


前烘時間不足或過液。烘烤時間不足,膠膜內溶劑不能及時揮發,顯影時部分膠膜被溶除;烘烤時間過長,膠膜翹曲硬化,膠的感光特性會發生變化。所以前烘必須恰當。


曝光不足,光硬化反映不*,膠膜溶于顯影液中,引起浮膠。因此,在保證分辨率的前提下,曝光要充分。


顯影時間太長,顯影液從膠膜底部不斷滲入,引起浮膠。因此必須控制好顯影時間。


B.蝕刻 ITO 層時產生的浮膠原因有:


蝕刻是產生的浮膠,除了與顯影時產生的浮膠有相同原因外,還有以下幾個原因;


堅膜不足,膠膜烘烤熱固化不夠。所以堅膜要充分,但也不能太高。


蝕刻液溫度太低或太高。溫度太低,蝕刻緩慢,則蝕刻時間太長,蝕刻液穿透或從底部滲入膠膜,引起浮膠;溫度太高,蝕刻液活潑性強,也可能產生浮膠。因此蝕刻溫度要選擇適當。


蝕刻液配制失誤,蝕刻液的活潑性太強。


a.產生毛刺和鉆蝕的原因有:


涂膠前玻璃表面潔凈度不夠,存在污物,油污、小顆粒吸附水汽,使光刻膠


與 ITO 層粘附不良,引起毛刺或局部鉆蝕。光刻底板不好,圖形邊緣有毛刺狀缺陷。


光刻膠過濾不好或太陳舊,存在顆粒狀物質,造成粘附不良。


顯影時間過長,圖形邊緣發生鉆溶,蝕刻時就要造成鉆蝕。


曝光不足,光硬化反映不*,顯影后在膠膜上產生溶坑或圖形邊緣引起鉆溶,蝕刻時造成毛刺或鉆蝕.


b.產生針孔的原因有:


     光刻掩模版質量不好,本身有針孔;涂光刻膠時,操作環境被灰塵沾污;


光刻膠涂得太薄,或光刻膠本身抗蝕性能太差;曝光時間控制不好;蝕刻液配比不當;


玻璃表面本身缺陷也可能造成針孔。


c.產生“小島”的原因及其處理方法


由于菲林不好,圖案區有針孔或損傷,曝光是光透過這些針孔,使這些地方的膠膜局部感光,成為不溶于顯影液的膠膜“小島”,蝕刻后成為 ITO 層的“小島”,出現這種情況應及時發現并更換或處理菲林。


若顯影不*,則在光刻窗口內留下一層不易察覺的膠膜,這層膠膜在蝕刻 ITO 層的過程中起阻蝕作用,從而造成 ITO 層蝕刻不*,殘留下 ITO 層“小島”。出現這種情況在膠膜抗蝕能力允許的條件下,應適當延長蝕刻時間。


蝕刻液不純,特別是沾有灰塵等異物,往往對 ITO 層有腐蝕作用,形成 ITO 層“小島”。因此,保持玻璃表面清潔,無灰塵污染,保持蝕刻液清潔并定期更換蝕刻液,可以減少由此產生的“小島”。


蝕刻時間與蝕刻速度有關,而蝕刻速度又與酸液和溫度有關,若蝕刻時間太短,ITO 層未蝕刻干凈,會導致短路而蝕刻時間也不宜太長,因為膠膜抗蝕能力有限,時間長了蝕刻酸液會穿透蝕膠膜產生浮膠或使分辨率降低,圖形變壞等。


蝕刻后玻璃應檢查項目有:蝕刻不足、蝕刻過度、無卜、短路等。蝕刻工藝參數之設定:


酸液溶度為(一般玻璃)6.0-6.5N,(特殊玻璃)為 6.4-6.8N,溫度為 45±2 ℃蝕刻速度:TN 為 3.6±0.1min,STN 為 3.2±0.1 min,噴洗壓力為 0.1-0.3kg/c ㎡.


蝕刻應注意之項,在加酸時停止放玻璃,待酸打滿后在打開循環加熱器開關,等溫度恒定在蝕刻玻璃。


7.剝膜


所謂剝膜,就是將經過蝕刻的玻璃表面殘留的光刻膠去除干凈。剝膜液溶度(KOH)需控制在 0.8-1.6N 范圍內。


8.DI 水清洗


用純水清洗玻璃表面,*去除 KOH 殘夜和表面沾污


將 ITO 圖案出來好的玻璃暫存凈化區,為下一工序做準備 


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