對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，根據(jù)試驗(yàn)的目的選用什么試驗(yàn)方法，選用什么試驗(yàn)條件，如何確定失效判據(jù)，如何選擇抽樣方式，zui后對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性評(píng)價(jià)的結(jié)果符合什么可靠性等級(jí)，這在現(xiàn)有國(guó)內(nèi)、上制定的各種可靠性技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)上幾乎都有明確規(guī)定。這說(shuō)明對(duì)于電子元器件質(zhì)量和可靠性水平，在上已有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于電子元器件產(chǎn)品適用于民用、工業(yè)用、軍用和宇航用都有相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)或相應(yīng)的等級(jí)要求。這為我們開(kāi)展可靠性試驗(yàn)提供了方便條件。
用于電子元器件可靠性試驗(yàn)的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)如表8.5所列。在表8.5所列的各種標(biāo)準(zhǔn)中，過(guò)去美軍MIL標(biāo)準(zhǔn)一直在世界上占主要地位。由于現(xiàn)在在上存在著電子元器件可靠性認(rèn)證問(wèn)題，所以IEC標(biāo)準(zhǔn)正逐漸成為主流。我國(guó)這方面的標(biāo)準(zhǔn)大多數(shù)是參考MIL標(biāo)準(zhǔn)和IEC標(biāo)準(zhǔn)制定的。世界各國(guó)的電子元器件生產(chǎn)廠也都按照這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法進(jìn)行。
表8.5 主要的可靠性試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)
IEC標(biāo)準(zhǔn)[International Electrotechnical Commission電工委員會(huì)]
68號(hào)出版物：基本環(huán)境試驗(yàn)法
147-5號(hào)出版物：半導(dǎo)體器件的機(jī)械及耐氣候性試驗(yàn)方法
MIL標(biāo)準(zhǔn)[Military Standard（美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)）]
MIL-STD-202：電子、電器元器件試驗(yàn)方法
MIL-STD-750：分立半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法
MIL-STD-833：微電子器件試驗(yàn)方法
BS標(biāo)準(zhǔn)[British Standard（英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)）]
BS-9300：半導(dǎo)體器件的試驗(yàn)方法
BS-9400：IC的試驗(yàn)方法
JIS標(biāo)準(zhǔn)[Japanese Industral Sandard（日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）]
JIS C 7021：分立半導(dǎo)體器件的環(huán)境試驗(yàn)方法和疲勞試驗(yàn)方法
JIS C 7022：半導(dǎo)體集成電路的環(huán)境試驗(yàn)方法和疲勞試驗(yàn)方法
EIAJ標(biāo)準(zhǔn)[Standard Elcctronic Industries Association of Japan（日本電子機(jī)械工業(yè)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)）]
SD-121：分立半導(dǎo)體器件的環(huán)境和疲勞性試驗(yàn)方法
IC-121：集成電路的環(huán)境及疲勞性試驗(yàn)方法
其它：NASA標(biāo)準(zhǔn)，CECC標(biāo)準(zhǔn)，防衛(wèi)廳標(biāo)準(zhǔn)，汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等
貝爾專業(yè)生產(chǎn)恒溫恒濕箱，恒定濕熱試驗(yàn)箱，冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱等環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備
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