某實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用直流磁控濺射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 結(jié)合正交試驗(yàn)表通過改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù), 在普通玻璃襯底上制備得到ZnO: Al（ZAO）透明導(dǎo)電薄膜.

試驗(yàn)設(shè)備:

伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 220 進(jìn)行濺射, 選用 ZAO 陶瓷靶, 基片為普通玻璃, 普發(fā) Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

工藝要求:

靶與基片距離為5cm, 濺射時(shí)間為30 min

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

在整個(gè)實(shí)驗(yàn)工藝中工作氣壓保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技術(shù)參數(shù)如下:

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.