場發射電子顯微鏡測試設備介紹，電子顯微鏡測試設備介紹SEM

 日本Hitachi在電子顯微鏡領域一向以技術潮流著稱：1972年發布臺場透射電子微鏡，經過30多年的發展，日立開發、應用了大量的新技術，例如電子槍多重偏壓、浸沒式(In-lens)、半浸沒式(Semi In-lens)物鏡、E x B式探測器，電子減速功能等等。推出了一系列性能優異、應用廣泛的新型號電鏡，受到了用戶的*。Hitachi公司除在日本有自己的研法制造中心外，在北美和歐洲也擁有研究開發中心，在六十多個國家經營銷售、和提供維修服務。 Hitachi公司將納米尺度呈獻給研究人員和生產廠商。

       在成功推出S-3000系列后，推出新型S-3400N型鎢燈絲SEM，它集成了Hitachi多年開發的新技術，例如新型電子槍、大錐角物鏡、5分割半導體式背散射探頭、物鏡光闌自動合軸等等，極大地提高設備的性能和應用擴展能力、使操作和維護更加簡易。
      S-4800屬于場發射SEM，它集成S-4700和S-5200型的優點，采用新型E x B式探測器和電子束減速功能提高了圖像質量，特別是低電壓的圖像分辨率；新型的透鏡系統，提供了高分辨模式、高束流模式、大工作距離模式、磁性樣品模式等多種工作模式。
     作為掃描電鏡配套的能譜分析儀器，我們供應日本Horiba公司或美國EDAX公司的產品。

 S-4800場發射SEM系統：
1. 分辨率：二次電子（SE）成像：高真空模式：1.0 nm (15KV)、1.4~2.0 nm (1KV)2. 放大倍率：低倍模式20 ～2,000倍；高倍模式100 ～800,800倍
3. 電子槍：冷陰極場發射電子源，束流1pA–2nA；加速電壓：0.5～30 kV；3級電磁透射會聚系統
4. 樣品室可容納樣品左右直徑200 mm，同心樣品臺，四軸自動，可安裝EDS、冷卻臺附件
5. 移動大范圍：X = 110 mm /Y = 110 mm /Z =1.5~40.0mm /R=360°；傾斜T：范圍不小于-5°～70°(手動)
6. 探測器：二次電子檢測器、固體背散射電子檢測器；樣品室 IR-CCD 相機
7. 圖像掃描：不低于5120×3840像素；圖像顯示1280×960像素