近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的經(jīng)驗(yàn)表明，對(duì)金屬封閉成套開(kāi)關(guān)設(shè)備上的局部放電進(jìn)行在線測(cè)量是預(yù)防電氣設(shè)備故障的一種好方法。運(yùn)行中的電氣設(shè)備在局部放電過(guò)程中產(chǎn)生暫態(tài)地電壓（TEV）信號(hào)，從而可以根據(jù)這一信號(hào)判定設(shè)備的運(yùn)行狀況。

TEV理論于1974年由Dr John Reeves首先提出。其基本原理如圖所示，在開(kāi)關(guān)柜設(shè)計(jì)過(guò)程中，為了減小設(shè)備尺寸，使得結(jié)構(gòu)更加緊湊，一般在制造中采用了大量的絕緣材料，如環(huán)氧澆注的CT, PT、靜觸頭盒、穿墻套管、相間隔板等，當(dāng)這些絕緣材料內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí)，單個(gè)放電持續(xù)時(shí)間一般只有幾納秒，放電電極之間的電荷發(fā)生快速的交變，則靠近放電點(diǎn)的金屬屏蔽層表面電位隨之變化，從而形成快速交變的脈沖電流，此脈沖電流的頻率很高，一般可以達(dá)到幾十MHz。由于高頻電流的集膚效應(yīng)，此脈沖電流只在導(dǎo)體表面?zhèn)鬏敗?duì)于金屬屏蔽內(nèi)部的局部放電，此脈沖電流首先在金屬屏蔽內(nèi)表面?zhèn)鞑ィ绻饘偻鈿?duì)內(nèi)是連續(xù)屏蔽的，則無(wú)法在外部檢測(cè)到局部放電信號(hào)，但是實(shí)際上，開(kāi)關(guān)柜的金屬外殼在絕緣襯墊、箱體連接處、終端等部位會(huì)存在不連續(xù)的縫隙，高頻電流信號(hào)可通過(guò)這些縫隙傳輸?shù)皆O(shè)備外層，產(chǎn)生一個(gè)暫態(tài)電壓，此電壓信號(hào)稱為暫態(tài)對(duì)地電壓(TEV)。在非閉合的金屬屏蔽外表面通過(guò)的TEV信號(hào)傳感器即可測(cè)得此信號(hào)，并且通過(guò)此信號(hào)判斷開(kāi)關(guān)柜內(nèi)是否存在局部放電以及放電的強(qiáng)弱。

TEV原理圖

TEV檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)圖

TEV局放儀實(shí)拍